一种薄膜晶体管、其制作方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管、其制作方法及显示装置，用以解决现有的柔性显示屏中，层间介质层的厚度较厚，容易在弯曲过程中造成断裂，导致源漏极层金属线发生断线的问题。该薄膜晶体管包括：衬底基板，设置在衬底基板上的有源层，源漏极层，以及设置在有源层和源漏极层之间的绝缘层；其中源漏极层通过绝缘层上的过孔与有源层进行连接；绝缘层材料包括储氢材料。本发明专利技术中的薄膜晶体管，在有源层和源漏极层之间设置有由储氢材料制作的绝缘层，绝缘层中存储的氢原子可以为有源层提供氢原子，因此可以省略后续层间介质层的制作，同时具有柔性的绝缘层相比于由无机材料制作的层间介质层，其柔韧性更强，在弯曲时不容易断裂，因而可以提高产品的良率。

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and display device

The invention relates to a thin film transistor and its manufacturing method and display device, is used to solve the flexible display existing in the interlayer dielectric layer is thick, easy to cause the fracture in the bending process, leading to the source drain layer of metal wire breakage problems. The thin film transistor includes: a substrate, an active layer disposed on a substrate, source drain layer, and an insulating layer between the electrode layer with a leakage in the active layer and the source; where the source drain layer through the insulating layer on the active layer and hole connection; insulation materials including hydrogen storage material. The thin film transistor of the invention, the active layer and the source drain with an insulating layer made by hydrogen storage material is provided between electrode layer, insulating layer in the storage of hydrogen atoms can provide hydrogen atoms as the active layer, so it can be omitted making subsequent interlayer dielectric layer, and an insulating layer with flexible compared to inorganic made the material layer dielectric layer, the more flexibility and not easy to break when bending, which can improve the yield of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、其制作方法及显示装置
本专利技术涉及薄膜晶体管
，尤其涉及一种薄膜晶体管、其制作方法及显示装置。
技术介绍
传统的显示器都是平板显示器，不可以随意弯曲。未来的趋势是希望在柔性体上呈现大量的信息，即在柔性显示器上进行显示，也即实现柔性显示。对于柔性显示器的官方定义为，其显示屏和模组在基板包装、生产、存储、使用、操作、工序衔接、搬运、运输等任何一个步骤中都可以实现机械弯曲的显示器装置。在现有的LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)背板制备工艺中，设置在薄膜晶体管中的栅极和有源层之间的层间介质层，由于其一般采用无机材料SiO-SiNx双层沉积形成，而且厚度一般设置在500纳米左右，因而在柔性显示屏进行弯折过程中，层间介质层的所受的应力过大，非常大的可能会造成层间介质层断裂，进而导致源漏极层金属线发生断线，影响产品的良率。综上所述，现有的柔性显示屏中，层间介质层的厚度较厚，很容易在弯曲过程中造成断裂，进而导致源漏极层金属线发生断线，影响产品的良率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种薄膜晶体管、其制作方法及显示装置，用以解决现有的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的有源层，源漏极层，以及设置在所述有源层和所述源漏极层之间的绝缘层；其中，所述源漏极层通过所述绝缘层上的过孔与所述有源层进行连接；所述绝缘层的材料包括储氢材料。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的有源层，源漏极层，以及设置在所述有源层和所述源漏极层之间的绝缘层；其中，所述源漏极层通过所述绝缘层上的过孔与所述有源层进行连接；所述绝缘层的材料包括储氢材料。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层和所述源漏极层之间的栅极；所述绝缘层设置在所述栅极与所述有源层之间。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层和所述源漏极层之间的栅极；所述绝缘层设置在所述栅极与所述源漏极层之间。4.如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层上背离所述衬底基板一侧的栅极绝缘层，以及设置在所述源漏极层上靠近所述衬底基板一侧的平坦化层。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层的厚度为6纳米-15纳米。6.如权利要求1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帅，李栋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11