一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，然后在350℃～450℃空气中进行退火处理，最后在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo，并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，得到得到所述氧化物薄膜晶体管。本发明专利技术通过退火处理后，可在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，阻碍电极材料原子向有源层中扩散，实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触，并有效地减少工艺步骤，降低成本。

Oxide thin film transistor and preparation method thereof

The invention belongs to the technical field of display devices, and discloses an oxide thin film transistor and a preparation method thereof. The preparation method is as follows: on the glass substrate of Al:Nd films deposited by DC magnetron sputtering gate, a gate insulating layer and surface oxidation growth of AlOx:Nd; on the gate insulating layer thickness is 5 ~ 30nm STO thin film active layer, and then in the 350 to 450 DEG C in the air annealed, finally on the STO film by DC magnetron sputtering source / drain electrode Mo, and the source / drain and the active layer between the self generated MoOx intermediate oxide layer, get the oxide thin film transistor. The present invention after the annealing process, the source / drain and the active layer between the self generated MoOx intermediate oxide layer, blocking electrode material diffuses in the active layer, the realization of the source / drain ohmic contact between the electrode and the active layer, and effectively reduce the process steps, reduce the cost.

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术属于显示器件
，具体涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
目前平板显示行业迅速发展，正朝着大尺寸，高分辨和高刷新率等方面发展。其中，薄膜晶体管(TFT)是平板显示器的核心部件，直接关系到平板显示器的质量好坏。TFT的有源层材料主要有非晶硅，多晶硅和金属氧化物。非晶硅TFT的迁移率小(≤1cm2/Vs)，均匀性高，稳定性差；多晶硅TFT迁移率高(≥100cm2/Vs)，均匀性差；而金属氧化物TFT的迁移率高(≥10cm2/Vs)，制备工艺简单，沉积工艺温度低，大面积沉积均匀性高，关态电流低，可以满足大尺寸，高分辨和高刷新率等方面的要求。电极与金属氧化物半导体之间的接触电阻是影响器件性能的关键因数。若源/漏电极与有源层之间的接触电阻很大时，当施加漏极电压时接触电阻将承担很大一部分电压降；同时，在漏电压很低的情况下会造成电流拥堵现象。因此，高器件性能的TFT需要在源/漏电极与有源层之间实现欧姆接触。对于非晶硅TFT来说，在源/漏电极与非晶硅半导体之间一般需要再增加一层重掺杂的非晶硅(n+a-Si)，实现非晶硅TFT的源漏电极与半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，作为有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；(3)对步骤(2)所得器件在350℃～450℃空气中进行退火处理；(4)利用掩模制作技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo，并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，得到得到所述氧化物薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，作为有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；(3)对步骤(2)所得器件在350℃～450℃空气中进行退火处理；(4)利用掩模制作技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo，并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，得到得到所述氧化物薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁洪龙，刘贤哲，姚日晖，李晓庆，张啸尘，吴为敬，徐苗，王磊，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44