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本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，然后在350℃～...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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