一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，再在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；最后所得器件在能量密度为20～100mJ/cm

Amorphous oxide thin film transistor and preparation method thereof

The invention belongs to the technical field of display devices, and discloses an amorphous oxide thin film transistor and a preparation method thereof. The preparation method is as follows: on the glass substrate of Al:Nd films deposited by DC magnetron sputtering gate, a gate insulating layer and surface oxidation growth of AlOx:Nd; on the gate insulating layer thickness is 5 ~ 30nm STO thin film active layer, and then in the STO thin film prepared by DC magnetron sputtering source / drain electrodes; the resulting device at the energy density is 20 ~ 100mJ/cm

【技术实现步骤摘要】
一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术属于显示器件
，具体涉及一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
近年来，非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在以有源矩阵驱动液晶显示(AMLCD)、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)和电子纸(E-paper)为代表的信息显示中起重要作用。非晶氧化物TFT具有较高的迁移率，低制备温度，高均匀性等优点可满足当前显示技术朝大尺寸、高分辨率和柔性等方向发展的要求。对于非晶氧化物TFT通常需要经过退火处理来改善器件的电学性能。这是因为退火处理不仅可以降低有源层内部的缺陷及有源层/栅绝缘层界面的缺陷，还可以改善有源层与电极之间接触质量形成欧姆接触。传统的退火方法是气氛热退火，均匀加热器件，使得有源层材料中原子获得能量重新分布，填补缺陷态，但退火处理存在以下缺点：1.薄膜受热依靠内部原子热运动重新排列减少缺陷态，需要很长时间，导致热退火时间很长，通常以小时为单位。2.器件各部分需要同时加热，因此对退火设备均匀温升需要很高的要求。3.由于氧化物TFT是由多种薄膜材料构成，各组分热膨胀系数不同，热退火会造成器件热应力增大。4.由于柔性TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层；(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，作为有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20～100mJ/cm

【技术特征摘要】
1.一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层；(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，作为有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁洪龙，刘贤哲，姚日晖，李晓庆，张啸尘，徐苗，王磊，彭俊彪，王晓峰，张紫辰，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44