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本发明涉及一种元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法，包括碳化硅衬底、衬底上外延层以及外延层上注入形成的P掺杂区域，所述P掺杂区域为圆形/多边形元胞和条形元胞混合形成。圆形/多边形元胞增加肖特基接触面积占比，提高器件正向电流...
该专利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州扬杰电子科技股份有限公司授权不得商用。

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