宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法
技术介绍
近年来，由于具有各种有利特点，作为宽带隙(WildGapType)半导体装置中的一例，碳化硅(Si)半导体装置(SiC半导体装置)正在被关注。然而这种碳化硅半导体装置存在如下问题。即，从形成主动区(ActiveArea)的电极或接线到碳化硅半导体装置的端部为止的距离变短时，一旦碳化硅半导体装置的表面一侧的电极被外加类似浪涌(Surge)电压的负电压，电极与碳化硅半导体装置的端部之间会引起放电(参照特开2009-231321号公报)。为了防止这个问题的发生，可以考虑用绝缘层(包括绝缘膜)将碳化硅半导体装置的第一导电型半导体层的表面完全覆盖。然而，在结缘层与由碳化硅构成的第一导电型半导体层之间的界面处，存在界面态。特别是绝缘层与碳化硅之间的界面中的界面态密度与绝缘层与硅之间的界面相比会变得更大。由于结缘层与由碳化硅构成的第一导电型半导体层之间的界面处存在的该界面态使电子被陷阱捕集，被捕集的电子中位于深界面态的电子由于时间常数大而无法摆脱，所以其实质上作为了负的固定电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型半导体层；第二导电型区域，设置在所述第一导电型半导体层上；第一电极，其一部分位于第二导电型区域上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层上；绝缘层，在所述第一导电型半导体层上与所述第一电极邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及第二电极，设置在所述第一电极与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层形成肖特基接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型半导体层；第二导电型区域，设置在所述第一导电型半导体层上；第一电极，其一部分位于第二导电型区域上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层上；绝缘层，在所述第一导电型半导体层上与所述第一电极邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及第二电极，设置在所述第一电极与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层形成肖特基接触。2.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：其中，一个所述第二电极被设置为连续性地或是断续性地包围所述第一电极的一部分或是整体。3.根据权利要求1或2中任意一项所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：其中，所述第二导电型区域的端部与所述第二电极和第一导电型半导体之间的接触面的端部之间的距离，比理论上的耗尽层宽度大。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：其中，所述绝缘层具有设置在所述第一导电型半导体层上的第一绝缘层，所述第二电极具有在所述第一绝缘层上沿平面方向突出的突出部。5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：其中，所述绝缘层具有设置在所述第一导电型半导体层上的第一绝缘层；以及具有设置在所述第一绝缘层上并且将所述第二电极完全覆盖的第二绝缘层。6.根据权利要求5所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：其中，所述第二电极不设置在所述宽带隙半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：前山雄介，中村俊一，小笠原淳，大泽良平，涉川昭彦，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP