肖特基二极管及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体元器件技术领域。该肖特基二极管包括半导体有源层、覆盖在半导体有源层上的介质层；穿过介质层，且与半导体有源层接触的阴极和阳极，阳极包括第一导电部和第二导电部，第二导电部覆盖第一导电部的侧壁和顶面，且第二导电部的功函数大于所述第一导电部的功函数。解决了现有GaN基AlGaN/GaN材料的肖特基二极管存在的耐压能力差、损耗大的问题。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体元器件技术，尤其涉及一种肖特基二极管及其制作方法。
技术介绍
随着高效完备的功率转换电路和系统需求的日益增加，具有低功耗和高速特性的功率器件越来越受到业界的关注。GaN(氮化镓)是第三代宽禁带半导体材料，由于其具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场，较高热导率，耐腐蚀和抗辐射性能，在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势，被认为是研究短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料。GaN基AlGaN/GaN(AlGaN为氮化镓铝)材料的肖特基二极管是大功率器件中的研究热点，这是因为AlGaN/GaN异质结处能形成高浓度、高迁移率的2DEG(Two-dimensionalelectrongas，二维电子气),同时异质结对2DEG具有良好的调节作用。研究发现，现有的GaN基AlGaN/GaN材料的肖特基二极管在高电场下场致热电子发射或电子遂穿效应会使得反向漏电增大，导致二极管耐压能力差，并且损耗大的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种肖特基二极管及其制作方法，以解决现有GaN基AlGaN/GaN材料的肖特基二极管存在的耐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的介质层；穿过所述介质层，且与所述半导体有源层接触的阴极和阳极，所述阳极包括第一导电部和第二导电部，所述第二导电部覆盖所述第一导电部的侧壁和顶面，且所述第二导电部的功函数大于所述第一导电部的功函数。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的介质层；穿过所述介质层，且与所述半导体有源层接触的阴极和阳极，所述阳极包括第一导电部和第二导电部，所述第二导电部覆盖所述第一导电部的侧壁和顶面，且所述第二导电部的功函数大于所述第一导电部的功函数。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述阳极的底部嵌入所述半导体有源层中。3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电部的底部嵌入所述半导体有源层中；或者，所述第二导电部的底部嵌入所述半导体有源层中。4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电部的宽度为100纳米。5.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二导电部的厚度为200纳米。6.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述阴极与阳极之间的距离为13微米。7.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电部的材料为TiN；所述第二导电部的材料包括自下而上依次形成的Ni层和Au层。8.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：形成半导体有源层；在所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘美华，孙辉，林信南，陈建国，
申请(专利权)人：北京大学，北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11