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本发明提供一种肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体元器件技术领域。该肖特基二极管包括半导体有源层、覆盖在半导体有源层上的介质层；穿过介质层，且与半导体有源层接触的阴极和阳极，阳极包括第一导电部和第二导电部，第二导电部覆盖第一导电部的侧壁和顶...该专利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。