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本发明公开了一种超级结肖特基二极管,具有多个元胞结构,每个元胞结构包括N型衬底上生长有N型外延,N型外延上部具有两个P型外延,所述两个P型外延之间的N型外延上具有肖特基接触区,所述肖特基接触区上是金属层;其中,所述P型外延由多个相接P型外延...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种超级结肖特基二极管,具有多个元胞结构,每个元胞结构包括N型衬底上生长有N型外延,N型外延上部具有两个P型外延,所述两个P型外延之间的N型外延上具有肖特基接触区,所述肖特基接触区上是金属层;其中,所述P型外延由多个相接P型外延...