一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件及其制造方法，该方法通过在第一次刻蚀出的凹槽基础上，再用一次或多次的各项同性介质淀积和各项异性刻蚀的方法，形成宽度达到要求的凹槽，淀积金属后即形成细栅长的栅金属。本发明专利技术实现了亚微米以下尺寸的栅，突破了光刻设备的关键尺寸限制，并且工艺简单可控。

GaNHEMT device based on self-aligned process and manufacturing method thereof

The invention discloses a GaN HEMT device and a method of manufacturing a self-aligned process based on this method through the grooves in the first etching out, using one or more isotropic dielectric deposition and anisotropic etching, formed to meet the requirements of the width of groove is formed after the deposition of metal thin metal gate gate length. The invention realizes a grid below sub micron size, breaks through the key size limitation of the lithographic equipment, and has simple and controllable process.

【技术实现步骤摘要】
一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法。
技术介绍
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表之一，与传统的半导体材料Si、GaAs相比，具有禁带宽度宽、击穿电场大、电子饱和漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点。特别是基于GaN材料的AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)结构具有更高的电子迁移率(高于1800cm2V-1s-1)和二维电子气(2DEG)面密度(约1013cm-2)，使得基于GaN材料器件在射频领域和电力电子领域都具有非常明显的优势。栅长是GaNHEMT器件的一个关键参数，其直接关系到射频器件的截止频率和开关器件的开关速率、导通损耗。而在亚微米以下的栅长结构往往需要借助先进的光刻设备，甚至是电子束设备进行制备，这不仅增加了设备投入、器件制作的成本，同时也降低了制作效率。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件，该器件具有线宽更窄的栅凹槽。本专利技术的另一目的在于提供一种基于自对准本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN HEMT器件的栅凹槽侧壁上保留有第二介质层。

【技术特征摘要】
1.一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件，其特征在于，所述GaNHEMT器件的栅凹槽侧壁上保留有第二介质层。2.根据权利要求1所述的基于自对准工艺的GaNHEMT器件，其特征在于，所述第二介质层为SiO2层。3.一种制造权利要求1-2任一所述的基于自对准工艺的GaNHEMT器件的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)在衬底材料上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；2)将步骤1)制备的产品进行清洗，然后通过光刻、剥离的方法在源、漏淀积欧姆接触金属，并进行快速热退火形成欧姆接触；3)在表面淀积钝化介质层，在所述钝化介质层上，利用光刻、刻蚀方法形成微米级的栅凹槽；然后通过原子层淀积方法各项同性的淀积第二介质层，再用感应耦合等离子体方法各项异性的刻蚀，刻蚀掉栅凹槽底部和台面上的第二介质层，保留凹槽侧壁的第二介质层；4)用光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪炜江，袁俊，杨永江，张敬伟，李明山，胡羽中，
申请(专利权)人：北京华进创威电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11