一种逆阻型氮化镓器件制造技术
Reverse resistance type gallium nitride device
The invention belongs to the field of semiconductor technology, in particular relates to a reverse resistance type gallium nitride device. The present invention for reverse blocking AlGaN/GaN heterojunction high electron mobility transistor CMOS is not compatible with traditional silicon technology and device fabrication problems of higher temperature conventional, proposes an inverse resistance type Gan ohmic contact. The reverse resistance gallium nitride device provided by the invention has the advantages of compatibility with traditional silicon process and low temperature preparation.
【技术实现步骤摘要】
一种逆阻型氮化镓器件
本专利技术属于半导体
，具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。
技术介绍
电力电子技术是现代科学、工业和国防的重要支撑技术，其中功率半导体器件既是电力电子技术的基础，也是电力电子技术发展的强大动力，功率半导体器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性作用。其中，以功率MOS场效应管(MOSFET)和绝缘栅晶体管(IGBT)为代表的新型功率半导体器件占据了主导地位，在4C电子产品、工业控制、国防装备等领域发挥着重要作用。然而，以硅材料为基础的功率MOSFET器件越来越显示出其不足和局限性。宽禁带半导体材料具有更优的材料特性，有望解决当今功率半导体器件发展所面临的“硅极限”问题。宽禁带半导体材料GaN具有宽带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场等突出优点，极大地提高了GaN电力电子器件耐压容量、工作频率和电流密度，大大降低了器件导通损耗，使器件可以在大功率和高温等恶劣条件下工作。特别是硅基氮化镓技术结合了GaN材料的性能优势和硅技术的成本优势，已成为国际功率半导体领域战略制高点，受到世界各国政府高度重视。与传统的Si基电力电子器件相...
【技术保护点】
一种逆阻型氮化镓器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和MGaN层(3)，所述GaN层(2)和MGaN层(3)形成异质结；所述M为除Ga之外的Ⅲ族元素；其特征在于，所述氮化镓器件具有肖特基源极结构、肖特基漏极结构和绝缘栅极结构；所述肖特基源极结构位于GaN层(2)上表面一端，肖特基源极结构由底部嵌入GaN层(2)上表面的源极肖特基接触电极(4)形成，源极肖特基接触电极(4)的侧面与MGaN层(3)接触；所述肖特基漏极结构位于GaN层(2)上表面另一端，肖特基漏极结构由底面与MGaN层(3)接触的漏极肖特基接触电极(5)形成；所述绝缘栅极结构位于与源极肖特...
【技术特征摘要】
1.一种逆阻型氮化镓器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和MGaN层(3)，所述GaN层(2)和MGaN层(3)形成异质结；所述M为除Ga之外的Ⅲ族元素；其特征在于，所述氮化镓器件具有肖特基源极结构、肖特基漏极结构和绝缘栅极结构；所述肖特基源极结构位于GaN层(2)上表面一端，肖特基源极结构由底部嵌入GaN层(2)上表面的源极肖特基接触电极(4)形成，源极肖特基接触电极(4)的侧面与MGaN层(3)接触；所述肖特基漏极结构位于GaN层(2)上表面另一端，肖特基漏极结构由底面与MGaN层(3)接触的漏极肖特基接触电极(5)形成；所述绝缘栅极结构位于与源极肖特基接触电极(4)相邻的MGaN层(3)上表面，绝缘栅极结构由绝缘栅介质(7)和位于绝缘栅介质(7)上金属栅电极(8)构成，且金属栅电极(8)的底部嵌入MGaN层(3)上层，金属栅电极(8)与源极肖特基接触电极(4)之间通过绝缘栅介质(7)隔离，所述绝缘栅介质(7)和金属栅电极(8)沿源极肖特基接触电极(4)的上表面向远离肖特基漏极结构的方向延伸，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈万军，施宜军，刘杰，李茂林，崔兴涛，刘超，周琦，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51
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