一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可以降低源极和漏极与沟道区之间的寄生电阻。所述薄膜晶体管，包括设置在衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；还包括设置在所述有源层上表面且分别与所述源极区、漏极区和沟道区对应第一源极、第一漏极、和栅绝缘层；所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合；所述第一源极和所述第一漏极到所述栅绝缘层的距离不大于1μm。

Thin film transistor, method for producing the same, array substrate and display device

The invention provides a thin film transistor and a preparation method thereof, an array substrate and a display device, relating to the display technology field, and can reduce the parasitic resistance between the source and drain and the channel region. The thin film transistor includes an active layer disposed on the substrate, the active layer includes a source region, a drain region and a channel region; which are arranged on the active layer on the surface and the source region, a drain region and a channel region corresponding to the first source, drain and gate, the first is the projection of the insulating layer; the gate insulating projection overlap layer on the substrate and the channel region on the substrate; the first source and the distance of the first drain to the gate insulating layer is not greater than 1 mu m.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
近年来，随着各种显示技术，如LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)显示、OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示、柔性显示等的不断发展，采用大尺寸、高分辨率显示面板的产品层出不穷。共平面顶栅自对准型薄膜晶体管的有源层分为与栅极对应的高电阻区以及与源极和漏极对应的低电阻区，因栅极和有源层中低电阻区没有交叠，使栅极与有源层之间具有较小的寄生电容，可减小有源层的电阻，从而可减小信号延迟，提高显示效果，而被广泛的应用于高分辨率、大尺寸的显示面板中。现有技术中，制备薄膜晶体管时，一般先形成高电阻的有源层，之后对有源层中与源极和漏极接触的区域进行导体化。通常本领域技术人员通过Ar(氩)、He(氦)等气体对有源层上与源极和漏极接触的区域进行等离子体处理，来实现有源层导体化的工艺，这样不但成本高，而且导体化的效果也不理想。如图1所示，在形成源极和漏极之后，有源层与源极和漏极之间的接触电阻RC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；其特征在于，还包括设置在所述有源层上表面且分别与所述源极区、所述漏极区和所述沟道区对应的第一源极、第一漏极、和栅绝缘层；所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合；所述第一源极和所述第一漏极到所述栅绝缘层的距离均不大于1μm。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；其特征在于，还包括设置在所述有源层上表面且分别与所述源极区、所述漏极区和所述沟道区对应的第一源极、第一漏极、和栅绝缘层；所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合；所述第一源极和所述第一漏极到所述栅绝缘层的距离均不大于1μm。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源极和所述第一漏极分别与所述栅绝缘层接触；或者，所述第一源极和所述第一漏极到所述栅绝缘层的距离等于所述第一源极的厚度。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置在所述栅绝缘层上表面的栅极、以及覆盖所述栅极外表面的导电保护层。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电保护层覆盖所述栅极的上表面。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源极、所述第一漏极、以及所述导电保护层的材料相同。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源极、所述第一漏极、以及所述导电保护层的材料均为透明导电材料；或者，所述第一源极、所述第一漏极、以及所述导电保护层的材料均为金属、厚度均为20-100nm。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源极、所述第一漏极、以及所述导电保护层的材料均为金属时，所述第一源极和所述第一漏极与所述导电保护层之间分别设置有绝缘部，所述第一源极、所述第一漏极、所述导电保护层、以及所述绝缘部同层设置；其中，所述绝缘部的材料由所述金属的氧化物构成。8.根据权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置在所述第一源极和所述第一漏极上方的钝化层、以及第二源极和第二漏极，所述钝化层包括第一过孔和第二过孔，所述第二源极通过所述第一过孔与所述第一源极接触，所述第二漏极通过所述第二过孔与所述第一漏极接触。9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；在形成有所述有源层的衬底上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合；在形成有所述有源层的衬底上形成第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别与所述源极区和所述漏极区对应，所述第一源极和所述第一漏极到所述栅绝缘层的距离均小于1μm。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括：在形成有所述有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋振，王国英，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11