一种环形FET器件制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种环形FET器件，从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层，源极金属形成于势垒层上且底部延伸至缓冲层；栅极金属的第一环绕部为环绕源极金属的闭合环形，第一延伸部从第一环绕部延伸覆盖至环形隔离区；漏极金属的第二环绕部为环绕第一环绕部的非闭合环形，第二延伸部从第二环绕部延伸覆盖至环形隔离区；从衬底底部向上开设背孔至源极金属底面，且源极金属经背孔通过连接金属与背面金属相连。本发明专利技术通过将源极做成圆柱形并通过背孔接地，栅极和漏极均做成环状，可缩小管芯面积，降低栅延迟，提高器件工作速度，且更加均匀的电场分布可以给管芯提高更大的击穿电压，提高管芯的功率输出。

【技术实现步骤摘要】
一种环形FET器件
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种环形FET器件。
技术介绍
管芯的结构设计对于器件的性能影响严重，目前常用的场效应晶体管(FET)采用条形栅结构，源极和漏极分列栅极的两边。这种管芯设计，同样栅宽下，面积更大，栅延迟严重，并且由于电场的不均匀分布极易导致器件击穿。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以降低栅延迟、提高击穿电压的环形FET器件。为达到上述要求，本专利技术采取的技术方案是：提供一种环形FET器件，从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层；还包括环形隔离区、栅极金属、源极金属及漏极金属，环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部；源极金属形成于势垒层上且底部延伸至缓冲层；栅极金属包括第一环绕部和第一延伸部，第一环绕部为环绕源极金属的闭合环形，第一延伸部从第一环绕部沿第一直线方向延伸覆盖至环形隔离区；漏极金属包括第二环绕部和第二延伸部，第二环绕部为环绕第一环绕部的非闭合环形，第二延伸部从第二环绕部沿第二直线方向延伸覆盖至环形隔离区；从衬底底部向上开设背孔至源极金属底面，且源极金属经背孔通过连接金属与衬底底面的背面金属相连。与现有技术相比，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种环形FET器件，从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层，其特征在于，还包括环形隔离区、栅极金属、源极金属及漏极金属，环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部；源极金属形成于势垒层上且底部延伸至缓冲层；栅极金属包括第一环绕部和第一延伸部，第一环绕部为环绕源极金属的闭合环形，第一延伸部从第一环绕部沿第一直线方向延伸覆盖至环形隔离区；漏极金属包括第二环绕部和第二延伸部，第二环绕部为环绕第一环绕部的非闭合环形，第二延伸部从第二环绕部沿第二直线方向延伸覆盖至环形隔离区；从衬底底部向上开设背孔至源极金属底面，且源极金属经背孔通过连接金属与衬底底面的背面金属相连。

【技术特征摘要】
1.一种环形FET器件，从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层，其特征在于，还包括环形隔离区、栅极金属、源极金属及漏极金属，环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部；源极金属形成于势垒层上且底部延伸至缓冲层；栅极金属包括第一环绕部和第一延伸部，第一环绕部为环绕源极金属的闭合环形，第一延伸部从第一环绕部沿第一直线方向延伸覆盖至环形隔离区；漏极金属包括第二环绕部和第二延伸部，第二环绕部为环绕第一环绕部的非闭合环形，第二延伸部从第二环绕部沿第二直线方向延伸覆盖至环形隔离区；从衬底底部向上开设背孔至源极金属底面，且源极金属经背孔通过连接金属与衬底底面的背面金属相连。2.根据权利要求1所述的环形FET器件，其特征在于，所述源极金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春江，翟媛，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51