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本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种环形FET器件，从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层，源极金属形成于势垒层上且底部延伸至缓冲层；栅极金属的第一环绕部为环绕源极金属的闭合环形，第一延伸部从第一环绕部延伸覆盖至环形隔离区；漏极金属的第二环...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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