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本发明公开了一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件及其制造方法，该方法通过在第一次刻蚀出的凹槽基础上，再用一次或多次的各项同性介质淀积和各项异性刻蚀的方法，形成宽度达到要求的凹槽，淀积金属后即形成细栅长的栅金属。本发明实现了亚微米以下尺寸...
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