一种逆阻型氮化镓器件制造技术
Reverse resistance type gallium nitride device
The invention belongs to the field of semiconductor technology, in particular relates to a reverse resistance type gallium nitride device. The present invention for reverse blocking AlGaN/GaN heterojunction high electron mobility transistor CMOS is not compatible with traditional silicon technology and device preparation of higher normal temperature, the invention proposes an inverse resistance type Gan ohmic contact. The reverse resistance gallium nitride device provided by the invention has the advantages of compatibility with traditional silicon process and low temperature preparation.
【技术实现步骤摘要】
一种逆阻型氮化镓器件
本专利技术属于半导体
，具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。
技术介绍
电力电子技术是现代科学、工业和国防的重要支撑技术，其中功率半导体器件既是电力电子技术的基础，也是电力电子技术发展的强大动力，功率半导体器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性作用。其中，以功率MOS场效应管(MOSFET)和绝缘栅晶体管(IGBT)为代表的新型功率半导体器件占据了主导地位，在4C电子产品、工业控制、国防装备等领域发挥着重要作用。然而，以硅材料为基础的功率MOSFET器件越来越显示出其不足和局限性。宽禁带半导体材料具有更优的材料特性，有望解决当今功率半导体器件发展所面临的“硅极限”问题。宽禁带半导体材料GaN具有宽带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场等突出优点，极大地提高了GaN电力电子器件耐压容量、工作频率和电流密度，大大降低了器件导通损耗，使器件可以在大功率和高温等恶劣条件下工作。特别是硅基氮化镓技术结合了GaN材料的性能优势和硅技术的成本优势，已成为国际功率半导体领域战略制高点，受到世界各国政府高度重视。与传统的Si基电力电子器件相...
【技术保护点】
一种逆阻型氮化镓器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和MGaN层(3)，所述GaN层(2)和MGaN层(3)形成异质结；所述M为除Ga之外的Ⅲ族元素；所述MGaN层(3)上表面一端具有漏极金属(5)，所述漏极金属(5)与MGaN层(3)形成肖特基势垒接触；其特征在于，在所述MGaN层(3)另一端具有绝缘栅极结构(6)，所述绝缘栅极结构(6)由绝缘栅介质(8)和金属栅电极(9)构成，其中金属栅电极(9)位于绝缘栅凹槽(7)中，所述绝缘栅凹槽(7)为贯穿MGaN层(3)并延伸入GaN层(2)上表面的凹槽，金属栅电极(9)与MGaN层(3)和GaN层(2)之...
【技术特征摘要】
1.一种逆阻型氮化镓器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和MGaN层(3)，所述GaN层(2)和MGaN层(3)形成异质结；所述M为除Ga之外的Ⅲ族元素；所述MGaN层(3)上表面一端具有漏极金属(5)，所述漏极金属(5)与MGaN层(3)形成肖特基势垒接触；其特征在于，在所述MGaN层(3)另一端具有绝缘栅极结构(6)，所述绝缘栅极结构(6)由绝缘栅介质(8)和金属栅电极(9)构成，其中金属栅电极(9)位于绝缘栅凹槽(7)中，所述绝缘栅凹槽(7)为贯穿MGaN层(3)并延伸入GaN层(2)上表面的凹槽，金属栅电极(9)与MGaN层(3)和GaN层(2)之间通过绝缘栅介质(8)隔离；与绝缘栅极结构(6)相邻的MGa...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈万军，刘杰，施宜军，李茂林，崔兴涛，刘超，周琦，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51
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