一种高功率半导体激光器的封装结构制造技术
Packaging structure of high power semiconductor laser
The utility model provides a package structure, a high power semiconductor laser includes a refrigerator, and a semiconductor laser unit; among them, the semiconductor laser unit by the laser chip and the laser chip bonding the conductive substrate cooling effect; the substrate is provided with a plurality of integrated multilayer composite thermal expansion the substrate coefficient, close to the cooler through the solder bond, each layer of the substrate thermal expansion coefficient increases from the cooler end end to laser chip. Based on the packaging structure of the high-power semiconductor laser provided by the utility model, the thermal stress of the P surface of the laser chip can be effectively balanced, and the near field nonlinear effect of the laser is greatly reduced.
【技术实现步骤摘要】
一种高功率半导体激光器的封装结构
本技术涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种高功率半导体激光器的封装结构。
技术介绍
图1为现有的半导体激光器封装结构示意图，如图1所示，由于激光芯片（巴条）1与热沉5（制冷器）的热膨胀系数（CTE，Coefficientofthermalexpansion）不匹配，因此需要采用衬底3作为过渡热沉，来平衡激光芯片1和热沉5之间的热膨胀系数不匹配，但即使这样，激光芯片1与衬底3键合的P面仍会受到由于热沉5收缩产生的应力，此应力会导致激光芯片（巴条）向上弯曲（如图2所示），这样不仅使得激光光束质量降低，还严重影响后续准直和耦合的效率。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供一种高功率半导体激光器的封装结构，能够在改善散热的情况下，有效地平衡激光芯片P面受到的热应力，大大降低激光器的近场非线性效应。本技术的技术方案如下：本技术实施例提供一种高功率半导体激光器的封装结构，包括：制冷器、以及半导体激光器单元；其中，所述半导体激光器单元由激光芯片、以及与所述激光芯片键合的起导电散热作用的衬底组成；所述衬底为具有多个热膨胀系数的一体式多层复合衬底，通...
【技术保护点】
一种高功率半导体激光器的封装结构，其特征在于，包括：制冷器、以及半导体激光器单元；其中，所述半导体激光器单元由激光芯片、以及与所述激光芯片键合的起导电散热作用的衬底组成；所述衬底为具有多个热膨胀系数的一体式多层复合衬底，通过焊料键合到所述制冷器上，所述衬底各层的热膨胀系数自激光芯片端到制冷器端呈增大趋势。
【技术特征摘要】
1.一种高功率半导体激光器的封装结构，其特征在于，包括：制冷器、以及半导体激光器单元；其中，所述半导体激光器单元由激光芯片、以及与所述激光芯片键合的起导电散热作用的衬底组成；所述衬底为具有多个热膨胀系数的一体式多层复合衬底，通过焊料键合到所述制冷器上，所述衬底各层的热膨胀系数自激光芯片端到制冷器端呈增大趋势。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述具有多个热膨胀系数的一体式多层复合衬底，为：热膨胀系数呈离散型分布，且自激光芯片端到制冷器端突变增大的一体式衬底。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴胜，封飞飞，高立军，梁雪杰，舒东平，
申请(专利权)人：西安炬光科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61
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