用于激光器的陶瓷垫片及激光器制造技术

本实用新型专利技术公开一种用于激光器的陶瓷垫片及激光器，其中用于激光器的陶瓷垫片包括：陶瓷垫片本体；若干金属镀层，包括布设在陶瓷垫片本体上的相互间隔的第一金属镀层、第二金属镀层、第三金属镀层及第四金属镀层，第一及第二金属镀层沿陶瓷垫片本体的纵向间隔设置，第一金属镀层的相背离所述第二金属镀层的一端形成第一开口，第三金属镀层及第四金属镀层分别设置在第一开口的两侧，第三金属镀层与第四金属镀层之间连接有薄模电阻；主芯片，设置在第一金属镀层上；MPD，设置在第二金属镀层上。通过金属镀层的导通作用，有效缩短了芯片与管脚之间金属导线的长度，减少了高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响。

【技术实现步骤摘要】
用于激光器的陶瓷垫片及激光器
本技术涉及激光器领域，尤其涉及一种激光器封装用的陶瓷垫片。
技术介绍
目前，光纤通信因其具有通信容量大、传输距离远、抗电磁干扰能力强等众多优点而发展成为主要通信方式之一。半导体激光器是光纤通信用的主要光源，是光纤通信的核心器件。现有的半导体激光器一般包括管座、管脚及设置在管座顶面的陶瓷垫片，其中所述陶瓷垫片上分别放置有主芯片及监控光电二极管(MonitoringPhotodiode；MPD)，所述主芯片及所述MPD分别通过金属导线连接到相应的所述管脚。不过，由于金属导线具有较大的长度，在高频信号下会造成金属导线之间的干扰，同时会产生寄生电容电感，影响高频信号的传输效果。另外，当所述主芯片的正极与负极均设置在其正面时或分别设置在其正面与反面时，相同的所述陶瓷垫片就不能同时适用于上述两种情况，例如，当所述半导体激光器为10G以内的垂直腔面发射激光器(Vcsel激光器)时，所述主芯片的正极通常在其正面，所述主芯片的负极通常在其反面，当所述半导体激光器为14G及以上的Vcsel激光器时，所述主芯片的正极与负极通常均在其正面。
技术实现思路
本技术的目的之一在于提供一种用于激光器的陶瓷垫片，能够减少高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响并适用芯片的正极与负极均设置在正面或分设在正面与反面的情况。本技术的目的之二在于提供一种激光器，能够减少高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响并适用芯片的正极与负极均设置在正面或分设在正面与反面的情况。为了实现上述目的之一，本技术的用于激光器的陶瓷垫片，所述激光器包括管座以及设于所述管座的若干管脚，所述若干管脚包括激光器正极管脚、激光器负极管脚、MPD(监控光电二极管)正极管脚及MPD负极管脚，所述用于激光器的陶瓷垫片包括：陶瓷垫片本体，设置在所述管座顶面且位于所述若干管脚之间；若干金属镀层，所述若干金属镀层包括布设在所述陶瓷垫片本体上的相互间隔的第一金属镀层、第二金属镀层、第三金属镀层及第四金属镀层，所述第一金属镀层及所述第二金属镀层沿所述陶瓷垫片本体的纵向间隔设置，所述第一金属镀层的相背离所述第二金属镀层的一端形成第一开口，所述第三金属镀层及所述第四金属镀层分别设置在所述第一开口的两侧，所述第三金属镀层与所述第四金属镀层之间连接有薄模电阻；主芯片，设置在所述第一金属镀层上，所述主芯片的正极与负极之一电性连接至所述第一金属镀层，所述第一金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之一，所述主芯片的正极与负极之另一通过金属导线连接至所述第四金属镀层，所述第三金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之另一；MPD，设置在所述第二金属镀层上，所述MPD的正极与负极之一通过金属导线相应连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之一，所述MPD的正极与负极之另一电性连接至所述第二金属镀层，所述第二金属镀层通过金属导线连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之另一。与现有技术相比，本技术的用于激光器的陶瓷垫片，通过所述金属镀层的导通作用，有效缩短了芯片与管脚之间金属导线的长度并使金属导线的布局更加合理化，减少了高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响，进而满足高频信号的传输要求。另外，通过所述金属镀层的设置，使得所述陶瓷垫片能适用芯片的正极与负极均设置在正面或分设在正面与反面的情况。较佳地，所述第二金属镀层靠近所述第一金属镀层的一端形成有第二开口，所述第一金属镀层相应的形成有凸部，所述凸部位于所述第二金属镀层的第二开口处，藉此达成结构紧凑的效果。较佳地，所述第一金属镀层、所述第二金属镀层、所述第三金属镀层及所述第四金属镀层整体呈横向对称结构，便于不同结构芯片的贴装。具体地，所述第一金属镀层连接所述激光器负极管脚与所述主芯片的负极，所述第三金属镀层连接至所述激光器正极管脚，所述第四金属镀层连接至所述主芯片的正极。具体地，所述主芯片的正极与负极均位于所述主芯片的正面，所述主芯片的正极与负极之一与所述第一金属镀层通过金属导线连接。具体地，所述主芯片的正极与负极分别位于所述主芯片的正面与反面，所述主芯片的正极与负极之一位于所述主芯片反面并与所述第一金属镀层通过导电胶连接。具体地，所述MPD的正极与负极之一位于所述MPD的正面，所述MPD的正极与负极之另一位于所述MPD反面并通过导电胶与所述第二金属镀层连接。为了实现上述目的之二，本技术的激光器，包括：管座；若干管脚，设置在所述管座，所述若干管脚包括激光器正极管脚、激光器负极管脚、MPD正极管脚及MPD负极管脚；陶瓷垫片本体，设置在所述管座顶面且位于所述若干管脚之间；若干金属镀层，所述若干金属镀层包括布设在所述陶瓷垫片本体上的相互间隔的第一金属镀层、第二金属镀层、第三金属镀层及第四金属镀层，所述第一金属镀层及所述第二金属镀层沿所述陶瓷垫片本体的纵向间隔设置，所述第一金属镀层位于所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之间，所述第二金属镀层位于所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之间，所述第一金属镀层的相背离所述第二金属镀层的一端形成第一开口，所述第三金属镀层及所述第四金属镀层分别设置在所述第一开口的两侧，所述第三金属镀层与所述第四金属镀层之间连接有薄模电阻；主芯片，设置在所述第一金属镀层上，所述主芯片的正极与负极之一电性连接至所述第一金属镀层，所述第一金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之一，所述主芯片的正极与负极之另一通过金属导线连接至所述第四金属镀层，所述第三金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之另一；MPD，设置在所述第二金属镀层上，所述MPD的正极与负极之一通过金属导线相应连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之一，所述MPD的正极与负极之另一电性连接至所述第二金属镀层，所述第二金属镀层通过金属导线连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之另一。与现有技术相比，本技术的激光器，通过所述金属镀层的导通作用，有效缩短了芯片与管脚之间金属导线的长度并使金属导线的布局更加合理化，减少了高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响，进而满足高频信号的传输要求。另外，通过所述金属镀层的设置，使得所述激光器能适用芯片的正极与负极均设置在正面或分设在正面与反面的情况。附图说明图1是本技术陶瓷垫片的一实施例的示意图。图2是本技术激光器的一实施例的示意图。图3是本技术激光器的另一实施例的示意图。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现的效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。图1至图3揭示了一种陶瓷垫片10及具有所述陶瓷垫片10的激光器100/100’。所述激光器100/100’包括管座20、若干管脚及设置在所述管座20顶面且位于所述若干管脚之间的所述陶瓷垫片10。所述若干管脚包括激光器正极管脚31、激光器负极管脚32、MPD正极管脚33及MPD负极管脚34。所述陶瓷垫片10包括陶瓷垫片本体11，所述陶瓷垫片本体11上布设有相互间隔的第一金属镀层12、第二金属镀层13、第三金属镀层14及第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于激光器的陶瓷垫片，所述激光器包括管座以及设于所述管座的若干管脚，所述若干管脚包括激光器正极管脚、激光器负极管脚、MPD正极管脚及MPD负极管脚，其特征在于，所述用于激光器的陶瓷垫片包括：陶瓷垫片本体，设置在所述管座顶面且位于所述若干管脚之间；若干金属镀层，所述若干金属镀层包括布设在所述陶瓷垫片本体上的相互间隔的第一金属镀层、第二金属镀层、第三金属镀层及第四金属镀层，所述第一金属镀层及所述第二金属镀层沿所述陶瓷垫片本体的纵向间隔设置，所述第一金属镀层的相背离所述第二金属镀层的一端形成第一开口，所述第三金属镀层及所述第四金属镀层分别设置在所述第一开口的两侧，所述第三金属镀层与所述第四金属镀层之间连接有薄模电阻；主芯片，设置在所述第一金属镀层上，所述主芯片的正极与负极之一电性连接至所述第一金属镀层，所述第一金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之一，所述主芯片的正极与负极之另一通过金属导线连接至所述第四金属镀层，所述第三金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之另一；MPD，设置在所述第二金属镀层上，所述MPD的正极与负极之一通过金属导线相应连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之一，所述MPD的正极与负极之另一电性连接至所述第二金属镀层，所述第二金属镀层通过金属导线连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之另一。...

【技术特征摘要】
1.一种用于激光器的陶瓷垫片，所述激光器包括管座以及设于所述管座的若干管脚，所述若干管脚包括激光器正极管脚、激光器负极管脚、MPD正极管脚及MPD负极管脚，其特征在于，所述用于激光器的陶瓷垫片包括：陶瓷垫片本体，设置在所述管座顶面且位于所述若干管脚之间；若干金属镀层，所述若干金属镀层包括布设在所述陶瓷垫片本体上的相互间隔的第一金属镀层、第二金属镀层、第三金属镀层及第四金属镀层，所述第一金属镀层及所述第二金属镀层沿所述陶瓷垫片本体的纵向间隔设置，所述第一金属镀层的相背离所述第二金属镀层的一端形成第一开口，所述第三金属镀层及所述第四金属镀层分别设置在所述第一开口的两侧，所述第三金属镀层与所述第四金属镀层之间连接有薄模电阻；主芯片，设置在所述第一金属镀层上，所述主芯片的正极与负极之一电性连接至所述第一金属镀层，所述第一金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之一，所述主芯片的正极与负极之另一通过金属导线连接至所述第四金属镀层，所述第三金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之另一；MPD，设置在所述第二金属镀层上，所述MPD的正极与负极之一通过金属导线相应连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之一，所述MPD的正极与负极之另一电性连接至所述第二金属镀层，所述第二金属镀层通过金属导线连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之另一。2.如权利要求1所述的用于激光器的陶瓷垫片，其特征在于，所述第二金属镀层靠近所述第一金属镀层的一端形成有第二开口，所述第一金属镀层相应的形成有凸部，所述凸部位于所述第二金属镀层的第二开口处。3.如权利要求1所述的用于激光器的陶瓷垫片，其特征在于，所述第一金属镀层、所述第二金属镀层、所述第三金属镀层及所述第四金属镀层整体呈横向对称结构。4.如权利要求1所述的用于激光器的陶瓷垫片，其特征在于，所述第一金属镀层连接所述激光器负极管脚与所述主芯片的负极，所述第三金属镀层连接至所述激光器正极管脚，所述第四金属镀层连接至所述主芯片的正极。5.如权利要求1所述的用于激光器的陶瓷垫片...

【专利技术属性】
技术研发人员：林桂光，司马卫武，王忍，马小立，黄文伟，
申请(专利权)人：东莞光智通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44