半导体结构及其制造方法技术

半导体结构包括第一鳍、第二鳍、第一栅极、第二栅极、至少一个间隔件和绝缘结构。第一栅极存在于第一鳍上。第二栅极存在于第二鳍上。间隔件存在于第一栅极和第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上。绝缘结构存在于第一鳍和第二鳍之间，其中，间隔件基本上不存在于绝缘结构与第一栅极和第二栅极的至少一个之间。本发明专利技术的实施例还涉及半导体结构的制造方法。

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

The semiconductor structure includes a first fin, a second fin, a first gate, a second gate, at least one spacer, and an insulating structure. The first gate is present on the first fin. A second gate is present on the second fin. Spacers exist on at least one side wall of at least one of the first gate and the second gate. The insulating structure is between the first fin and the second fin, wherein the spacer substantially does not exist between the insulating structure and at least one of the first gate and the second gate. Embodiments of the present invention also relate to a method of manufacturing a semiconductor structure.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术的实施例涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是将两个栅极结合到一个器件中的MOSFET。由于它们的包括从衬底延伸的薄“鳍”的结构，这些器件也称为鳍式场效应晶体管(FinFET)。可以使用MOSFET技术制造硅基FinFET。在具有位于其上面的绝缘层的衬底上制造FinFET，其中，薄“鳍”从衬底延伸，例如，蚀刻至衬底的硅层。在该垂直鳍中形成场效应晶体管(FET)的沟道。在鳍上方提供栅极(例如，包裹)。双栅极的益处在于，在沟道的两侧上存在栅极允许从沟道的两侧的栅极控制。FinFET的另一优势包括减小短沟道效应和更高的电流。其他FinFET构造可以包括三个或更多有效栅极。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一鳍；第二鳍；第一栅极，存在于所述第一鳍上；第二栅极，存在于所述第二鳍上；至少一个间隔件，存在于所述第一栅极和所述第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上；以及绝缘结构，存在于所述第一鳍和所述第二鳍之间，其中，所述间隔件不存在于所述绝缘结构与所述第一栅极和所述第二栅极的所述至少一个之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：第一鳍；第二鳍；第一栅极，存在于所述第一鳍上；第二栅极，存在于所述第二鳍上；至少一个间隔件，存在于所述第一栅极和所述第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上；以及绝缘结构，存在于所述第一鳍和所述第二鳍之间，其中，所述间隔件不存在于所述绝缘结构与所述第一栅极和所述第二栅极的所述至少一个之间。

【技术特征摘要】
2016.03.04 US 15/061,8761.一种半导体结构，包括：第一鳍；第二鳍；第一栅极，存在于所述第一鳍上；第二栅极，存在于所述第二鳍上；至少一个间隔件，存在于所述第一栅极和所述第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上；以及绝缘结构，存在于所述第一鳍和所述第二鳍之间，其中，所述间隔件不存在于所述绝缘结构与所述第一栅极和所述第二栅极的所述至少一个之间。2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：至少一个隔离结构，存在于所述第一鳍和所述第二鳍之间，其中，所述绝缘结构存在于所述隔离结构上。3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：绝缘层，存在于所述隔离结构和所述绝缘结构之间。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述绝缘层和所述绝缘结构由不同的材料制成。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述绝缘层由氮化硅制成。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓桔程，曾鸿辉，陈臆仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71