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半导体结构包括第一鳍、第二鳍、第一栅极、第二栅极、至少一个间隔件和绝缘结构。第一栅极存在于第一鳍上。第二栅极存在于第二鳍上。间隔件存在于第一栅极和第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上。绝缘结构存在于第一鳍和第二鳍之间，其中，间隔件基本上不存在...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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