高压半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
高压半导体装置及其制造方法
本专利技术关于一种半导体技术，且特别是关于一种可降低或消除基体效应(bodyeffect)的高压半导体装置。
技术介绍
高压半导体装置技术适用于高电压与高功率的集成电路领域。传统高压半导体装置，例如横向扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(LateraldiffusedMOSFET,LDMOSFET)，主要用于高于或约为18V的元件应用领域。高压半导体装置技术的优点在于符合成本效益，且易相容于其他工艺，已广泛应用于显示器驱动IC元件、电源供应器、电力管理、通信、车用电子或工业控制等领域中。图1绘示出已知的N型水平式扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)剖面示意图。N型水平式扩散金属-氧化物半导体场效应效晶体管10包括：一P型半导体基底100及位于其上的一P型外延层102。P型外延层102上具有栅极结构116及场绝缘层114。再者，栅极结构116两侧的P型外延层102内分别为一P型基体(body)区106及一N型漂移区104，其中漂移区104进一步延伸于下方的P型半导体基底100内。基体区106内具有P型接触区108及相邻的...
【技术保护点】
一种高压半导体装置，其特征在于，包括︰具有一第一导电型的一半导体基底；具有一第二导电型的一第一掺杂区，位于该半导体基底内；一外延层，形成于该半导体基底上；具有该第一导电型的一基体区，位于该第一掺杂区上的该外延层内；具有该第二导电型及相同掺杂浓度的一第二掺杂区及一第三掺杂区，分别位于该基体区两相对侧的该外延层内而邻接该基体区；一源极区及一漏极区，分别位于该基体区及该第二掺杂区内；一场绝缘层，位于该源极区及该漏极区之间的该第二掺杂区内；以及一栅极结构，位于该外延层上，且覆盖一部分的该场绝缘层。
【技术特征摘要】
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括︰具有一第一导电型的一半导体基底；具有一第二导电型的一第一掺杂区，位于该半导体基底内；一外延层，形成于该半导体基底上；具有该第一导电型的一基体区，位于该第一掺杂区上的该外延层内；具有该第二导电型及相同掺杂浓度的一第二掺杂区及一第三掺杂区，分别位于该基体区两相对侧的该外延层内而邻接该基体区；一源极区及一漏极区，分别位于该基体区及该第二掺杂区内；一场绝缘层，位于该源极区及该漏极区之间的该第二掺杂区内；以及一栅极结构，位于该外延层上，且覆盖一部分的该场绝缘层。2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括具有该第一导电型的一场降区，位于该场绝缘层下方的该第二掺杂区内。3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区与该第二掺杂区或该第三掺杂区具有相同的掺杂浓度。4.如权利要求3所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区、该第二掺杂区及该第三掺杂区为高压井区。5.如权利要求4所述的高压半导体装置，其特征在于，该第二掺杂区及该第三掺杂区为该基体区所隔开的同一高压井区。6.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区的掺杂浓度不同于该第二掺杂区或该第三掺杂区的掺杂浓度。7.如权利要求6所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区为高压井区，而该第二掺杂区及该第三掺杂区为井区，且该井区的掺杂浓度高于该高压井区。8.如权利要求7所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括具有该第二导电型的一埋入层，位于该基体区下方的该第一掺杂区内。9.如权利要求6所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区为具有该第二导电型的一埋入层，而该第二掺杂区及该第三掺杂区为井区。10.如权利要求6所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区为具有该第二导电型的一埋入层，而该第二掺杂区及该第三掺杂区为高压井区。11.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第二掺杂区及该第三掺杂区位于该第一掺杂区上方，且该第三掺杂区的一外侧边缘对准于该第一掺杂区的一对应的外侧边缘。12.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第二掺杂区及该第三掺杂区位于该第一掺杂区上方，且该第三掺杂区的一外侧边缘未对准于该第一掺杂区的一对应的外侧边缘。13.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第三掺杂区具有一宽度在1至8微米的范围。14.一种高压半导体装置的制造方法，其特征在于，包括︰提供具有一第一导电型的一半导体基底；于该半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦玉龙，林鑫成，林文新，吴政璁，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。