半导体装置制造方法及图纸

得到一种能够实现高可靠性的半导体装置。在主单元区域，在半导体衬底(1)的主面形成有第1扩散区域(2)，在终端区域，在主面形成有第2扩散区域(3)。绝缘膜(5、6)形成于半导体衬底(1)的主面之上，在第1及第2扩散区域(2、3)之上分别具有第1及第2接触孔(7、8)。相同材质的第1及第2电极(9、10)分别形成于第1及第2接触孔(7、8)内。半绝缘性膜(11)将第2电极(10)覆盖。第1电极(9)不将第1接触孔(7)完全填埋。第2电极(10)将第2接触孔(8)完全填埋。第3电极(14)形成于第1电极(9)之上，将第1接触孔(7)完全填埋。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种具有功率半导体用二极管构造的半导体装置。
技术介绍
就用于功率半导体的二极管而言，由于在纵向上流过大电流，因此由厚的AlSi电极将主单元区域(maincellregion)的接触孔填埋。另外，终端构造采用FLR(FieldLimitingRing；场限环)构造，在GR(GuardRing；保护环)和各FLR(FieldLimitingRing)形成FP(FieldPlate；场板)电极，使耗尽层容易延伸(例如参照专利文献1)。并且，为了使电位稳定，在终端区域整个面形成有半绝缘性的保护膜。近年来，在主单元区域流过电流的区域的接合方法从WB(WireBonding；导线接合)逐渐变化为DLB(DirectLeadBonding；直接引线接合)。因此，在主电极之上形成用于进行焊接的电极的情况不断增多。专利文献1：日本特开平09－023016号公报近年来，就功率半导体而言，为了缩小无效区域，也需要对终端区域进行微细化。但是，由于电极的膜厚大，因此不能形成微细图案。另外，即使能够形成微细且高台阶的高纵横比的图案，也会由于来自外部的封装体的应力，发生电极倾倒或者使电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有主面；第1扩散区域，其在主单元区域形成于所述主面；第2扩散区域，其在所述主单元区域的外侧的终端区域形成于所述主面；绝缘膜，其形成于所述主面之上，在所述第1及第2扩散区域之上分别具有第1及第2接触孔；第1电极，其形成于所述第1接触孔内，与所述第1扩散区域连接；第2电极，其形成于所述第2接触孔内，与所述第2扩散区域连接；半绝缘性膜，其将所述第2电极覆盖；以及第3电极，其形成于所述第1电极之上，第1及第2电极是相同的材质，所述第1电极不将所述第1接触孔完全填埋，所述第2电极将所述第2接触孔完全填埋，所述第3电极将所述第1接触孔完全填埋。

【技术特征摘要】
2016.03.01 JP 2016-0390671.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有主面；第1扩散区域，其在主单元区域形成于所述主面；第2扩散区域，其在所述主单元区域的外侧的终端区域形成于所述主面；绝缘膜，其形成于所述主面之上，在所述第1及第2扩散区域之上分别具有第1及第2接触孔；第1电极，其形成于所述第1接触孔内，与所述第1扩散区域连接；第2电极，其形成于所述第2接触孔内，与所述第2扩散区域连接；半绝缘性膜，其将所述第2电极覆盖；以及第3电极，其形成于所述第1电极之上，第1及第2电极是相同的材质，所述第1电极不将所述第1接触孔完全填埋，所述第2电极将所述第2接触孔完全填埋，所述第3电极将所述第1接触孔完全填埋。2.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有主面；第1扩散区域，其在主单元区域形成于所述主面；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井秀纪，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP