半导体结构元件及用于制造半导体结构元件的方法以及用于车辆的控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出半导体结构元件(10)，尤其功率MOSFET，它具有源极接通部(12)，漏极区域(14)及场板(20)，其中为了测量漏极与场板(20)之间的电容量设有与场板(20)电连接的场板端子(26)。场板(20)与源极接通部(12)无电连接。求取的电容量Cds可被换算成通过半导体结构元件(10)流过的电流Ids。还提出了用于测量从半导体结构元件(10)的源极到漏极的电流的方法，其中由激励及测量电路(28)在场板端子(26)上施加小激励电压及由系统响应求取电流强度Ids。此外还提出具有所述的半导体结构元件(10)的用于车辆的控制装置。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构元件及用于制造半导体结构元件的方法以及用于车辆的控制装置
本专利技术涉及一种半导体结构元件，优选地涉及一种功率MOSFET元件，还涉及一种用于制造半导体结构元件的方法以及一种用于车辆的控制装置。
技术介绍
在例如用于马达操控的功率电子系统中，用于系统调节的相电流具有决定性的作用。在开关过程期间过高的电流可导致元件击穿并可导致其损坏。因此在许多情况下例如通过分路器(Shunt)来测量电流。如果借助分路器测量相电流，则为此需要在DBC(DirectBondedCopper：直接敷铜板)上或在冲压格栅(Stanzgitter)上的附加面积。此外与分路器一起需要另一部件，这也引起成本的增加。因此发展出一些思路：直接在载流的半导体上测量电流。例如由US2008/0088355A1公知了：将一些晶体管单元与功能负载区域分开并且这些所谓“传感区域”仅用于确定流过晶体管的电流。另一可能性在于：不仅精确地测量栅极电压而且精确地测量漏极电压。与结构元件的特性曲线一起同样可以确定电流。这些方法的问题在于：通过结构及连接技术(AVT)上的例如基于垂直损伤(Lotzerrüttung)随时间可能出现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构元件(10)，其具有半导体衬底、至少一个源极元件(12)、至少一个漏极元件(14)、至少一个栅极元件(18)及至少一个场板(20)，其特征在于：所述至少一个场板(20)与所述至少一个源极元件(12)电绝缘并且能够从所述半导体结构元件(10)的外部通过场板端子(26)电接通。

【技术特征摘要】
2015.11.02 DE 102015221376.51.一种半导体结构元件(10)，其具有半导体衬底、至少一个源极元件(12)、至少一个漏极元件(14)、至少一个栅极元件(18)及至少一个场板(20)，其特征在于：所述至少一个场板(20)与所述至少一个源极元件(12)电绝缘并且能够从所述半导体结构元件(10)的外部通过场板端子(26)电接通。2.根据权利要求1所述的半导体结构元件(10)，其中，所述半导体结构元件(10)包括多个分别并联连接的源极元件(12)、漏极元件(14)及栅极元件(18)以及多个场板(20)。3.根据权利要求2所述的半导体结构元件(10)，其中，所述场板(20)中的至少一些与所述场板端子(26)电连接，而其余的场板(20)与所述源极元件(12)电连接。4.根据以上权利要求中任一项所述的半导体结构元件(10)，其中，所述半导体结构元件(10)具有垂直结构。5.根据以上权利要求中任一项所述的半导体结构元件(10)，其中，所述半导体结构元件(10)具有沟槽结构，该沟槽结构具有至少一个沟槽(16)，在所述至少一个沟槽中布置有至少一个栅极元件(18)及至少一个场板(20)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·V·埃姆登，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE