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本发明提出半导体结构元件(10)，尤其功率MOSFET，它具有源极接通部(12)，漏极区域(14)及场板(20)，其中为了测量漏极与场板(20)之间的电容量设有与场板(20)电连接的场板端子(26)。场板(20)与源极接通部(12)无电连接...
该专利属于罗伯特·博世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特·博世有限公司授权不得商用。

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