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本发明提供一种高压半导体装置。此装置包括具有一第一导电型的一半导体基底。具有一第二导电型的一第一掺杂区，位于半导体基底内。一外延层形成于半导体基底上。具有第一导电型的一基体区，位于第一掺杂区上的外延层内。具有第二导电型及相同掺杂浓度的一第二...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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