一种IC封装用载板及其封装工艺制造技术

技术编号:16176959 阅读:64 留言:0更新日期:2017-09-09 04:19
本发明专利技术提出了一种IC封装用载板及其封装工艺,工艺过程包括:(a)在合金铝基片上真空镀铜,(b)在铜上涂覆感光材料,(c)在感光材料上进行图形转移,(d)在所需图形的非覆盖感光材料区电镀底电极,(e)在底电极上继续电镀铜,(f)在电镀铜上电镀顶电极,(g)去除感光材料,(h)在电镀铜层修饰有机金属转化膜,(i)成型得到所需外形的载板,后固晶封装,再去除合金铝层及种子铜层完成封装。本发明专利技术可解决线宽设计,布线设计以及孤岛电极设计自由性差的缺点,可显著增加集成电路封装I/0数,另外,通过对电极铜表面进行黑氧化或棕氧化,增强了与封装树脂材料的结合力,提升了封装散热能力与封装电路可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种IC封装用载板及其封装工艺
本专利技术涉及一种IC封装用载板及其封装工艺,本专利技术属于电子

技术介绍
集成电路产业是信息化社会的基础性和先导性产业,集成电路封装测试是整个产业链中的重要一环,表面贴装技术(SMT)是目前广泛采用的中高端封装技术,也是许多先进封装技术的基础。方形扁平无引脚封装(QuadFlatNo-leadPackage,QFN)技术是一种重要的集成电路封装工艺,具有表面贴装式封装,焊盘尺寸小、体积小、占有PCB区域小、元件厚度薄、非常低的阻抗、自感,可满足高速或者微波的应用等优点。由于底部中央的大面积裸露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,使得QFN具有极佳的电和热性能。但缺点在于QFN中部向四周连续布线,线宽受限于铜厚、且难以设计孤岛电极,增加I/0数会带来的生产成本和可靠性问题,限制了芯片和PCB板的设计自由度。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提出了一种IC封装用载板及其封装工艺,所制得的IC封装用载板增加了集成电路封装I/0数,提高了封装散热能力与封装电路可靠性。为实现上述目的,本专利技术采用如下之技术方案:一种IC封装用载板,包括有一合金本文档来自技高网...
一种IC封装用载板及其封装工艺

【技术保护点】
一种IC封装用载板,其特征在于:包括有一合金铝基片,所述合金铝基片上依次设置有种子铜层、底电极、电镀铜层、顶电极。

【技术特征摘要】
1.一种IC封装用载板,其特征在于:包括有一合金铝基片,所述合金铝基片上依次设置有种子铜层、底电极、电镀铜层、顶电极。2.所述电镀铜层可设置有有机金属转化膜。3.根据权利要求1所述一种IC封装用载板,其特征在于:所述合金铝基片优选2系铝片、3系铝片、5系铝片或其它硬度较好的铝片。4.根据权利要求1所述一种IC封装用载板,其特征在于:所述种子铜层是通过真空磁控溅射铜形成或真空磁控溅射铜后再电镀加厚铜形成。5.根据权利要求1所述一种IC封装用载板,其特征在于:所述底电极为标准电极电势高于铜的金属材料,优选金、银、镍、钯或其合金,或在上述金属材料上再电镀镍。6.根据权利要求1所述一种IC封装用载板,其特征在于:顶电极为标准电极电势高于铜且易于焊接的金属,优选金、银、钯或其合金。7.根据权利要求2所述一种IC封装用载板,其特征在于:所述有机金属转化膜优选棕氧化膜和黑氧化膜。8.一种IC封装用载板的封装工艺,其特征在于:工艺过程包括:(a)在合金铝基片上真空溅镀铜,得到有种子铜层覆铜基片...

【专利技术属性】
技术研发人员:何忠亮郭秋卫丁华朱争鸣
申请(专利权)人:深圳市环基实业有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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