半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法包含形成鳍特征部件于基底上方，基底具有第一区和第二区，形成栅极堆叠于第一区中的鳍特征部件上方，以及形成间隔层于第一区中的栅极堆叠上方和第二区中的鳍特征部件上方。间隔层分别沿着栅极堆叠的侧壁和鳍特征部件的侧壁设置。此方法也包含在不移除沿着第一区中的栅极堆叠的侧壁的间隔层的情况下，将沿着第二区中的鳍特征部件的侧壁的间隔层移除。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开涉及半导体技术，且特别涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)工业已经历了快速成长。在集成电路发展的过程中，功能密度(即每一芯片区的互连装置的数目)通常会增加，且几何尺寸(即使用制造工艺所能产生的最小组件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。元件尺寸微缩化也增加了处理与制造集成电路(IC)的复杂性。为实现这些进展，在集成电路处理和制造上需要类似的发展。举例来说，已经引入例如鳍式场效晶体管(fin-typefield-effecttransistor，FinFET)的三维晶体管来取代平面晶体管。虽然目前的鳍式场效晶体管及制造鳍式场效晶体管的方法已经足以实现预期的目的，但是它们并非在各方面都完全令人满意。举例来说，需要改善在鳍式场效晶体管中形成栅极间隔物的工艺。
技术实现思路
在一些实施例中，提供半导体装置的制造方法，其包含形成鳍特征部件于基底上方，基底具有第一区和第二区。形成栅极堆叠于第一区中的鳍特征部件上方，形成间隔层于第一区中的栅极堆叠上方和第二区中的鳍特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括：形成一鳍特征部件于一基底上方，该基底具有一第一区和一第二区；形成一栅极堆叠于该第一区中的该鳍特征部件上方；形成一间隔层于该第一区中的该栅极堆叠上方和该第二区中的该鳍特征部件上方，其中该间隔层分别沿着该栅极堆叠的侧壁和该鳍特征部件的侧壁设置；以及在不移除沿着该第一区中的该栅极堆叠的侧壁的该间隔层的情况下，将沿着该第二区中的该鳍特征部件的侧壁的该间隔层移除。

【技术特征摘要】
2016.01.15 US 14/996,8431.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一鳍特征部件于一基底上方，该基底具有一第一区和一第二区；形成一栅极堆叠于该第一区中的该鳍特征部件上方；形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玉莲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71