具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法技术

具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括设置在基板的第一区域中的第一掺杂区域。具有金属层的第一部分的第一金属电极设置在第一掺杂区域上且接触第一掺杂区域。第二掺杂区域设置在基板的第二区域中。电介质层设置在第二掺杂区域上。具有金属层的第二部分的第二金属电极设置在电介质层上。第二金属电极电容耦合到第二掺杂区域。

【技术实现步骤摘要】
具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法
本专利技术一般涉及半导体器件，且更具体而言涉及具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用在很多电子和其他应用中。通过在半导体晶片上沉积很多类型的薄膜材料且对薄膜材料进行构图以形成集成电路,半导体器件包含在半导体晶片上形成的集成电路。在半导体产业中存在减小特征尺寸和/或改善半导体器件的性能的趋势。例如，缩放器件的特征以改善电流性能、减小寄生电阻的性能等。然而，这种技术进步需要克服很多挑战。一个挑战涉及包括有源区域的硅化的前端制程（front-end-of-line）中的接触形成以及通过绝缘层形成到它的接触。缩放通过减小接触尺寸以及接触到接触的间隔向这些工艺提出挑战。越来越多的硅化引入明显减小工艺产量的缺点。另一挑战是在半导体器件中使用的二极管的性能的改善。作为金属半导体二极管的肖特基二极管通常通过使硅化物区域与半导体区域接触而形成。这是因为基于硅化物的二极管与常规半导体处理的兼容性。然而，这种二极管具有很多限制。例如，由于较薄的硅化物以及增加的场区域的存在，拐角处泄露电流会增加。图1包括图1a和1b，说明常规的基于硅化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有第一区域和第二区域的基板；至少在基板的第二区域上形成栅极电介质层；在基板的第一区域上形成第一虚拟栅电极；在基板的第二区域中，在栅极电介质层上形成第二虚拟栅电极；在第一虚拟栅电极下方形成第一掺杂区域；通过去除第一虚拟栅电极和第二虚拟栅电极形成第一沟槽和第二沟槽；以及在基板上形成金属层，其中金属层的第一部分电学接触第一沟槽中的第一掺杂区域且金属层的第二部分至少部分地填充第二沟槽。

【技术特征摘要】
2011.04.08 US 13/0827931.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有第一区域和第二区域的基板；至少在基板的第二区域上形成栅极电介质层；在基板的第一区域上形成第一虚拟栅电极；在基板的第二区域中，在栅极电介质层上形成第二虚拟栅电极；在第一虚拟栅电极下方形成第一掺杂区域；通过去除第一虚拟栅电极和第二虚拟栅电极形成第一沟槽和第二沟槽；以及在基板上形成金属层，其中金属层的第一部分电学接触第一沟槽中的第一掺杂区域且金属层的第二部分至少部分地填充第二沟槽。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成栅极电介质层还在第一区域中形成栅极电介质层，还包括去除第一沟槽露出的第一区域中的栅极电介质层的一部分。3.根据权利要求1所述的方法，其中在形成第一虚拟栅电极之后形成第一掺杂区域。4.根据权利要求1所述的方法，其中在形成第一虚拟栅电极之前形成第一掺杂区域。5.根据权利要求1所述的方法，其中金属层包括选自由氮化铝、氮化铪、氮化钽、氮化钛、氮化锆、钨、氮化钨、氮化钼、碳化钽、碳化铪、碳化锆、氮碳化钽及其组合组成的组中的材料。6.根据权利要求1所述的方法，其中金属层的第二部分接触栅极电介质层。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成金属层之后，使用填充金属填充第一沟槽和第二沟槽。8.根据权利要求7所述的方法，其中填充金属包括选自由铝、钨、铜、钛、镍、铂、钯、氮化钛、硅化钴、硅化镍及其组合组成的组中的材料。9.根据权利要求7所述的方法，还包括：在形成第一沟槽和第二沟槽之前在基板上沉积平面化层；以及在填充第一沟槽和第二沟槽之后，平面化填充金属和金属层以露出平面化层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：P里斯，D西普拉克，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE