一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法，采用湿法刻蚀，在硅衬底外延层表面中间位置形成梯形氧化层；然后在梯形氧化层两侧采用常规工艺，形成沟道、源漏等常规掺杂区；接下来在外延层表面生长栅氧化层并覆盖金属层，采用湿法刻蚀，去除梯形氧化层侧边的金属层；最后采用干法刻蚀，形成金属栅和场板结构。本发明专利技术的金属栅降低栅阻，提高器件的功率增益，栅与场板的分离减小栅漏反馈电容，改善器件的高频性能；栅与场板的距离可通过梯形氧化层的侧边角度调节，降低工艺难度；场板下梯形氧化层有助于降低界面电场，增加器件可靠性，同时与常规的VDMOS工艺制程完全兼容，同时形成栅和场板结构，不增加额外的工序。

【技术实现步骤摘要】
一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法
本专利技术是涉及的是一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法，属于半导体微电子设计制造

技术介绍
随着超大规模集成电路技术的高速发展，高压高频半导体器件的制造技术有了新的起色，一批新型的功率放大器件随之诞生了，其中最具代表性的产品就是VDMOS场效应功率晶体管。在微波
，射频VDMOS器件越来越广泛的应用于功率开关。射频VDMOS器件的开关速度主要取决于器件内部电容的充放电，而器件耐压则取决于器件源漏击穿电压。为了不断提高射频VDMOS的性能，设计上包括以下几个技术措施：1)采用场板结构，提高器件源漏击穿电压，从而提高器件耐压性。2)减小寄生电容，提高器件频率性能。针对以上问题，目前VDMOS器件的解决方案主要有以下两种：1)栅与场板同步完成，形成一体化的结构；2)先形成栅结构，然后在栅上方形成覆盖场板结构。对于方案1，场板引起的寄生栅漏反馈电容较大；对于方案2，输入电容较大，并且需要额外的增加了制造工序。因此，目前这两种技术方案都有一定局限性，限制了VDMOS的高频应用。专利技术内容专利技术目的：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构，其特征在于，采用湿法刻蚀，在硅衬底外延层表面中间位置形成梯形氧化层；然后经过一系列的光刻、离子注入、高温推进等常规工艺，形成沟道、源漏常规掺杂区；接下来在梯形氧化层两侧的外延层表面生长栅氧化层，并在梯形氧化层和栅氧化层上覆盖金属层；采用湿法刻蚀，去除梯形氧化层侧边的金属层；最后采用干法选择性刻蚀，形成金属栅和场板结构，其中，场板位于梯形氧化层上方，金属栅位于梯形氧化层两侧。

【技术特征摘要】
1.一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构，其特征在于，采用湿法刻蚀，在硅衬底外延层表面中间位置形成梯形氧化层；然后经过一系列的光刻、离子注入、高温推进等常规工艺，形成沟道、源漏常规掺杂区；接下来在梯形氧化层两侧的外延层表面生长栅氧化层，并在梯形氧化层和栅氧化层上覆盖金属层；采用湿法刻蚀，去除梯形氧化层侧边的金属层；最后采用干法选择性刻蚀，形成金属栅和场板结构，其中，场板位于梯形氧化层上方，金属栅位于梯形氧化层两侧。2.权利要求1所述的射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底外延层上，形成SiO2介质层；步骤二、光刻、湿法刻蚀SiO2介质层，形成中间位置的梯形氧化层，去除光刻胶；步骤三、经过一系列光刻、离子注入、高温推进等常规工艺，在梯形氧化层两侧形成沟道、源漏常规掺杂区；步骤四、在梯形氧化层两侧的常规掺杂区上方生长SiO2栅氧化层，然后在SiO2栅氧化层和梯形氧化层上方蒸发淀积金属层；步骤五、湿法刻蚀栅氧化层和梯形氧化层上方金属层，终止于梯形氧化层侧边的SiO2表面；步骤六、光刻、...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵杨杨，刘洪军，应贤炜，盛国兴，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32