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本发明公开了一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法，采用湿法刻蚀，在硅衬底外延层表面中间位置形成梯形氧化层；然后在梯形氧化层两侧采用常规工艺，形成沟道、源漏等常规掺杂区；接下来在外延层表面生长栅氧化层并覆盖金属层，采用湿法刻...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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