【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了，涉及用于半导体的制造工艺领域，包括基底、第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁对称设置并形成浅沟槽，浅沟槽包括上部和下部，形成浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的相对于基底的斜率小于形成浅沟槽下部的部分第一侧壁和部分第二侧壁。进行浅沟槽隔绝层淀积；将氮化硅层移除。本专利技术的技术方案增加生产产能，降低生产成本，工艺调整较小容易实施。【专利说明】
本专利技术涉及用于半导体MOS器件的制造工艺领域，尤其涉及。
技术介绍
STI (Shallow Trench Isolation,浅沟道隔离)工艺随着集成电路的线宽逐渐降低越来越多的面临填充空洞的问题，虽然HARP SiCoNi工艺能够解决截止到32/28纳米节点所面临的填充问题，但是因为增加了工艺步骤，使得产能降低和生产成本升高。如果只应用HARP工艺填充就需要降低沟槽侧壁倾斜角度，这样就要减小有源区面积使得集成度下降。中国专利(CN101958267A)公开了一种浅沟槽填充方法，包括:提供衬底；所述衬底内形成有沟槽；所述沟槽侧壁形成有侧壁氧化层；用Si02以递进速率填充所述沟...
【技术保护点】
一种浅沟槽结构，其特征在于，包括基底、第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和第二侧壁设于所述基底之上，所述第一侧壁和第二侧壁对称设置并形成浅沟槽，所述浅沟槽包括上部和下部，所述下部临近所述基底，所述上部远离所述基底，形成所述浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的相对于所述基底的斜率小于形成所述浅沟槽下部的部分第一侧壁和部分第二侧壁的斜率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张志刚，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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