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本发明提供了一种浅沟槽结构及浅沟槽填充方法，涉及用于半导体的制造工艺领域，包括基底、第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁对称设置并形成浅沟槽，浅沟槽包括上部和下部，形成浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的相对于基底的斜率小于形成浅沟槽...
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