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半导体装置的制造方法包含形成鳍特征部件于基底上方，基底具有第一区和第二区，形成栅极堆叠于第一区中的鳍特征部件上方，以及形成间隔层于第一区中的栅极堆叠上方和第二区中的鳍特征部件上方。间隔层分别沿着栅极堆叠的侧壁和鳍特征部件的侧壁设置。此方法也...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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