形成半导体器件的方法技术
【技术实现步骤摘要】
形成半导体器件的方法
技术介绍
半导体处理技术的目的在于晶片厚度的精确设定。例如，在绝缘栅极双极晶体管（IGBT）中，场停止区和发射极之间的目标距离的精确设定对于确保高短路电流能力是必不可少的。所期望的是，改进制造半导体器件的方法中的半导体本体厚度的设定。
技术实现思路
通过独立权利要求的教导来解决目标。另外的实施例被限定在从属权利要求中。本公开涉及一种形成半导体器件的方法。该方法包括通过离子注入在半导体衬底的第一表面处将杂质引入到半导体衬底的一部分中，该杂质被配置成吸收能量小于半导体衬底的带隙能量的电磁辐射。该方法还包括在半导体衬底的第一表面上形成半导体层。该方法还包括利用电磁辐射来对半导体衬底进行辐照，该电磁辐射被配置成由杂质吸收并且被配置成产生半导体衬底的晶格的局部损坏。该方法还包括通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使该半导体层和半导体衬底分离，该热处理被配置成通过热机械应力引起沿着晶格的局部损坏的裂缝形成。本公开涉及形成半导体器件的另一方法。该方法包括在半导体衬底的第一表面上形成半导体层，其中杂质被引入到在半导体衬底的第一表面处邻接半导体衬底的第一子层中，该杂质被...
【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：通过离子注入在半导体衬底的第一表面处将杂质引入到所述半导体衬底的一部分中，所述杂质被配置成吸收能量小于所述半导体衬底的带隙能量的电磁辐射（S100）；在所述半导体衬底的第一表面上形成半导体层（S110）；利用电磁辐射来对所述半导体衬底进行辐照，所述电磁辐射被配置成由所述杂质吸收并且被配置成产生所述半导体衬底的晶格的局部损坏（S120）；以及通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使所述半导体层和所述半导体衬底分离，所述热处理被配置成通过热机械应力引起沿着所述晶格的局部损坏的裂缝形成（S130）。
【技术特征摘要】
2016.01.14 DE 102016100565.71.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：通过离子注入在半导体衬底的第一表面处将杂质引入到所述半导体衬底的一部分中，所述杂质被配置成吸收能量小于所述半导体衬底的带隙能量的电磁辐射（S100）；在所述半导体衬底的第一表面上形成半导体层（S110）；利用电磁辐射来对所述半导体衬底进行辐照，所述电磁辐射被配置成由所述杂质吸收并且被配置成产生所述半导体衬底的晶格的局部损坏（S120）；以及通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使所述半导体层和所述半导体衬底分离，所述热处理被配置成通过热机械应力引起沿着所述晶格的局部损坏的裂缝形成（S130）。2.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成半导体层，其中杂质被引入到在所述半导体衬底的第一表面处邻接所述半导体衬底的第一子层中，所述杂质被配置成吸收能量小于所述半导体衬底的带隙能量的电磁辐射（S200）；利用电磁辐射来对所述半导体衬底进行辐照，所述电磁辐射被配置成由所述杂质吸收并且被配置成产生所述半导体衬底的晶格的局部损坏（S210）；以及通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使所述半导体层和所述半导体衬底分离，所述热处理被配置成通过热机械应力引起沿着所述晶格的局部损坏的裂缝形成（S220）。3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述电磁辐射是激光。4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述电磁辐射的能量密度在1J/cm2和5J/cm2的范围中。5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述杂质在所述半导体衬底的相对表面之间沿着垂直方向的延伸在100nm到3µm的范围中。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述杂质的剂量在1×1013cm-2到晶格非晶化剂量的范围中。7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述半导体层是硅半导体层并且所述杂质选自以下各项的组：氮、钼、钨、钽、铟及其任何组合。8.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中，所述半导体层是碳化硅半导体层并且所述杂质选自以下各项的组：钛、钽、钒及其任何组合。9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述杂质是深杂质，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：R鲁普，FJ桑托斯罗德里格斯，HJ舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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