三维鳍式隧穿场效应晶体管制造技术
【技术实现步骤摘要】
三维鳍式隧穿场效应晶体管
本专利技术涉及半导体装置，尤其涉及自鳍片形成以提供较大有效沟道宽度(Weff)的隧穿场效应晶体管(tunnelingfieldeffecttransistor；TFET)。
技术介绍
与金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor；MOSFET)相比，隧穿场效应晶体管(TFET)包括本质上较好的亚阈值斜率(subthresholdslope；SS)及微缩能力(scalingcapability)。不过，TFET的主要问题是它们因带间隧穿(band-to-bandtunneling)的有限有效沟道宽度(Weff)而导致驱动电流方面的不良性能。该不良性能使直接生产厂商避开使用TFET技术。
技术实现思路
一种形成隧穿场效应晶体管的方法包括：在衬底上的半导体鳍片上方形成栅极结构，在该栅极结构之间具有至少两个间距；以及在该栅极结构之间凹入该鳍片。在该鳍片上方沉积第一介电层，以填充其间具有较小间距的该栅极结构之间的第一间隙。用第二介电层填充具有较大间距的该栅极结构之间的第二间隙。...
【技术保护点】
一种形成隧穿场效应晶体管的方法，包括：在衬底上的半导体鳍片上方形成栅极结构，在该栅极结构之间具有至少两个间距；在该栅极结构之间凹入该鳍片；在该鳍片上方沉积第一介电层，以填充其间具有较小间距的该栅极结构之间的第一间隙；用第二介电层填充具有较大间距的该栅极结构之间的第二间隙；通过蚀刻该第一介电层打开该第一间隙，而该第二介电层防止打开该第二间隙；在该第一间隙中的该鳍片上形成源区；在该第一间隙中的该源区上形成介电填充物；通过蚀刻该第二介电层及该第一介电层打开该第二间隙；以及在该第二间隙中的该鳍片上形成漏区。
【技术特征摘要】
2015.09.18 US 14/858,1541.一种形成隧穿场效应晶体管的方法，包括：在衬底上的半导体鳍片上方形成栅极结构，在该栅极结构之间具有至少两个间距；在该栅极结构之间凹入该鳍片；在该鳍片上方沉积第一介电层，以填充其间具有较小间距的该栅极结构之间的第一间隙；用第二介电层填充具有较大间距的该栅极结构之间的第二间隙；通过蚀刻该第一介电层打开该第一间隙，而该第二介电层防止打开该第二间隙；在该第一间隙中的该鳍片上形成源区；在该第一间隙中的该源区上形成介电填充物；通过蚀刻该第二介电层及该第一介电层打开该第二间隙；以及在该第二间隙中的该鳍片上形成漏区。2.如权利要求1所述的方法，其中，在该第一间隙中的该鳍片上形成该源区包括：沉积掺杂物施体层；以及通过退火制程驱入掺杂物。3.如权利要求2所述的方法，还包括：氧化该掺杂物施体层；以及在形成该漏区之前剥离该掺杂物施体层。4.如权利要求1所述的方法，其中，在该第一间隙中的该鳍片上形成该源区包括：在该第一间隙中的该鳍片上选择性外延生长掺杂物施体层；以及通过退火制程驱入掺杂物。5.如权利要求1所述的方法，其中，在该鳍片上方沉积该第一介电层以填充该第一间隙包括在该沉积期间使用夹断来填充该第一间隙，而该第二间隙因其较大的尺寸而保持不被填充。6.如权利要求1所述的方法，其中，在该第二间隙中的该鳍片上形成该漏区包括：沉积掺杂物施体层；以及通过退火制程驱入掺杂物。7.如权利要求1所述的方法，其中，在该第二间隙中的该鳍片上形成该漏区包括：在该第二间隙中的该鳍片上选择性外延生长掺杂物施体层；以及通过退火制程驱入掺杂物。8.如权利要求1所述的方法，其中，该源区与该漏区包括相反的掺杂物导电性。9.如权利要求1所述的方法，其中，在该栅极结构之间凹入该鳍片使该源区及该漏区能够占据该鳍片的整个宽度及高度，从而增加沿该鳍片纵向所形成的沟道的宽度。10.一种形成隧穿场效应晶体管的方法，包括：在衬底上的半导体鳍片上方形成栅极结构，在该栅极结构之间具有至少两个间距；在该栅极结构之间凹入该鳍片；在该鳍片上方沉积第一介电层以填充其间具有较小间距的该栅极结构之间的第一间隙，其方式为使用夹断来填充该第一间隙，而第二间隙因其较大的尺寸而保持不被填充；用第二介电层填充具有较大间距的该栅极结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：Z·刘，X·孙，T·山下，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY
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