制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括半导体区域形成工序、清洗工序、表面粗糙度均匀化工序和电极形成工序。作为半导体区域形成工序，形成半导体区域，以使得具有不同离子注入量的多个半导体区域暴露在半导体基板的一个主表面上。作为清洗工序，在半导体区域形成工序之后，使用氢氟酸在半导体基板的所述一个主表面上进行清洗。作为表面粗糙度均匀化工序，在清洗工序之后，使半导体基板的所述一个主表面的表面粗糙度均匀化。作为电极形成工序，在表面粗糙度均匀化工序之后，在半导体基板的所述一个主表面上形成电极。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
本说明书中公开的技术涉及一种制造半导体装置的方法。
技术介绍
在许多半导体装置中，电极形成在半导体基板的一个主表面上。在清洗半导体基板的一个主表面之后，在半导体基板的一个主表面上形成这种电极。日本专利申请公开第2008-085050号(JP2008-085050A)公开了一种使用HF清洗(使用氢氟酸的清洗)去除在半导体基板的一个主表面上形成的自然氧化膜，然后在半导体基板的一个主表面上形成电极的技术。
技术实现思路
作为半导体装置的示例，已知在同一个半导体基板中形成IGBT区域和二极管区域的逆导型IGBT。在逆导型IGBT中，对应于IGBT区域的p+型集电极区域和对应于二极管区域的n+型阴极区域在半导体基板的背面上被图案化，以便暴露于半导体基板的背面，并且在半导体基板的背面上形成背面电极，以覆盖集电极区域和阴极区域。在集电极区域和阴极区域中，根据期望的特性来调整离子注入量。因此，典型地，集电极区域的离子注入量与阴极区域的离子注入量不匹配。如此，如果形成具有不同的离子注入量的集电极区域和阴极区域，由于在离子注入期间对半导体基板的背面的损坏变化，所以半导体基板的背面的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体装置的方法，所述方法的特征在于包括：作为半导体区域形成工序，形成半导体区域，以使得有不同离子注入量的多个半导体区域暴露在半导体基板的一个主表面上；作为清洗工序，在所述半导体区域形成工序之后，使用氢氟酸在所述半导体基板的所述一个主表面上进行清洗；作为表面粗糙度均匀化工序，在所述清洗工序之后，使所述半导体基板的所述一个主表面的表面粗糙度均匀化；以及作为电极形成工序，在所述表面粗糙度均匀化工序之后，在所述半导体基板的所述一个主表面上形成电极。

【技术特征摘要】
2015.12.11 JP 2015-2426051.一种制造半导体装置的方法，所述方法的特征在于包括：作为半导体区域形成工序，形成半导体区域，以使得有不同离子注入量的多个半导体区域暴露在半导体基板的一个主表面上；作为清洗工序，在所述半导体区域形成工序之后，使用氢氟酸在所述半导体基板的所述一个主表面上进行清洗；作为表面粗糙度均匀化工序，在所述清洗工序之后，使所述半导体基板的所述一个主表面的表面粗糙度均匀化；以及作为电极形成工序，在所述表面粗糙度均匀化工序之后，在所述半导体基板的所述一个主表面上形成电极。2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：亀山悟，味冈正树，大木周平，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP