一种GaN器件键合方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种GaN器件键合方法
本专利技术涉及一种GaN器件的制作方法，属于半导体制造领域。
技术介绍
作为宽禁带半导体的典型代表，GaN具有更宽的禁带宽度、更高的饱和电子漂移速度、更大的临界击穿电场强度、更好的导热性能优点特点，更重要的是它与AlGaN能够形成AlGaN/GaN异质结，便于制作HEMT器件。由于GaN材料的自身特性，GaN器件具有很强极化效应，例如GaNHEMT器件二维电子气（2DEG）的产生主要是由于压电极化和应力极化产生的。因此，为了优化GaN器件性能，在GaN器件外延和器件流片正面工艺中，往往需要进行较大的应力调谐，例如，在GaNHEMT器件中，表面的张应力有利于2DEG的产生；另一方面，正面工艺较大的应力，往往会导致晶圆有较大的翘曲度，会对GaN器件背面工艺制作造成困难：采用常规工艺键合后，翘曲度不会发生变化，较大的翘曲度，会严重影响背面光刻对准精度，导致背孔位置存在偏差，不仅导致接地能力变差，特征阻抗变化，而且还会恶化GaN器件散热能力，严重的会导致GaN器件实效。本专利提出一种GaN背面工艺的键合方法，即采用一定应力的Si化物，调谐GaN晶圆...
【技术保护点】
一种GaN器件键合方法，其特征在于，包括；其GaN器件外延结构的键合过程，主要包括如下步骤：步骤1：在传统GaN器件完成正面工艺后，在其背面沉积一层Si化物；步骤2：利用光刻胶键合，将所述GaN器件键合到载体上；步骤3：利用刻蚀工艺，将背面沉积的Si化物去除，完成键合。
【技术特征摘要】
1.一种GaN器件键合方法，其特征在于，包括；其GaN器件外延结构的键合过程，主要包括如下步骤：步骤1：在传统GaN器件完成正面工艺后，在其背面沉积一层Si化物；步骤2：利用光刻胶键合，将所述GaN器件键合到载体上；步骤3：利用刻蚀工艺，将背面沉积的Si化物去除，完成键合。2.根据权利要求1所述的GaN器件键合方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈一峰，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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