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本发明涉及一种GaN器件键合方法，采用在晶圆背面沉积一定应力的Si化物，调节GaN器件正面工艺完成后晶圆的翘曲度，使得GaN更好地键合在载体上面，方便后续的减薄、光刻、通孔等工艺。...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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