一种半导体器件及其制造方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多个栅极结构，在栅极结构的侧壁上形成有侧墙结构；在半导体衬底上沉积多晶硅层，覆盖栅极结构和侧墙结构，以实现栅极结构与栅极结构或栅极结构与源漏区的互连；在多晶硅层上沉积牺牲层，以填充栅极结构之间的间隙，并在牺牲层上沉积硬掩膜层；在硬掩膜层中形成开口，以露出牺牲层，并在所述开口的侧壁上形成牺牲侧墙；以硬掩膜层和牺牲侧墙为掩膜，依次去除露出的牺牲层和多晶硅层；依次去除硬掩膜层、牺牲侧墙和剩余的牺牲层。根据本发明专利技术，可以缩小去除露出的多晶硅层的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法、电子装置
本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。
技术介绍
静态随机存取存储器(SRAM)是广泛使用的存储器件，为了增加芯片上排布的器件密度并缩减制造成本，需要降低存储器件的特征尺寸。然而，受到接触区、多晶硅栅极以及源区特征尺寸进一步减小的限制，进一步降低存储器件的存储单元的特征尺寸变得非常困难。为此，现有技术通过去除位于栅极结构侧壁上的侧墙并沉积内连多晶硅层来实现存储单元中的栅极结构之间或者栅极结构与源/漏区之间的局域互连，由此可以减少需要形成的接触孔的数量，降低存储单元的面积。但是，随着器件尺寸的缩小，内连多晶硅层之间的间距变得更小，传统的光刻工艺难以完成上述内连多晶硅层的制作。因此，需要提出一种方法，以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上形成有侧墙结构；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，覆盖所述栅极结构和所述侧墙结构，以实现栅极结构与栅极结构或栅极结构与源漏区的互连；在所述多晶硅层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上形成有侧墙结构；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，覆盖所述栅极结构和所述侧墙结构，以实现栅极结构与栅极结构或栅极结构与源漏区的互连；在所述多晶硅层上沉积牺牲层，以填充所述栅极结构之间的间隙，并在所述牺牲层上沉积硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成开口，以露出所述牺牲层，并在所述开口的侧壁上形成牺牲侧墙；以所述硬掩膜层和所述牺牲侧墙为掩膜，依次去除露出的所述牺牲层和所述多晶硅层，以完成内连多晶硅层的制作；依次去除所述硬掩膜层、所述牺牲侧墙和剩余的所述牺牲层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上形成有侧墙结构；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，覆盖所述栅极结构和所述侧墙结构，以实现栅极结构与栅极结构或栅极结构与源漏区的互连；在所述多晶硅层上沉积牺牲层，以填充所述栅极结构之间的间隙，并在所述牺牲层上沉积硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成开口，以露出所述牺牲层，并在所述开口的侧壁上形成牺牲侧墙；以所述硬掩膜层和所述牺牲侧墙为掩膜，依次去除露出的所述牺牲层和所述多晶硅层，以完成内连多晶硅层的制作；依次去除所述硬掩膜层、所述牺牲侧墙和剩余的所述牺牲层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙结构包括位于所述栅极结构两侧的偏移侧墙和位于所述偏移侧墙外侧的主侧墙。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述多晶硅层之前，还包括去除位于部分栅极结构侧壁上的侧墙结构的步骤，所述部分栅极结构通过去除所述侧墙结构露出的部分与所述多晶硅层实现互连。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，去除所述侧墙结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31