一种FS‑IGBT的制造方法技术

本发明专利技术提供一种FS‑IGBT的制造方法。其方法包括：在一块N型半导体衬底上外延形成N型缓冲层，外延缓冲层厚度约40um；在所形成的N+缓冲层上通过硅硅直接键合工艺键合形成支撑衬底；翻转硅片，减薄硅片至设计厚度(此厚度不包含支撑衬底的厚度)，并在减薄后的表面上完成IGBT正面工艺；清洗并翻转硅片，去除支撑衬底；刻蚀外延缓冲层至设计厚度；在减薄后的外延缓冲层外表面做B注入并淀积金属形成集电极。本发明专利技术的FS‑IGBT的制造方法，不需要专用的薄片工艺设备，与现有的常规工艺兼容，可以大大节约制备成本，FS‑IGBT的N buffer层是由外延形成，去除了常规FS‑IGBT Nbuffer制做过程中长时间的热过程，避免了此过程中因高温引发的硅片翘曲，有利于提高器件的可靠性。

A method of manufacturing the FS IGBT

The invention provides a manufacturing method of FS IGBT. The method includes: forming a N type epitaxial buffer layer in a N type semiconductor substrate, epitaxial buffer layer thickness of about 40um; in the N+ buffer layer formed on the silicon silicon direct bonding bonding forming a support substrate; flip chip, wafer thinning to design thickness (the thickness not containing a supporting substrate the thickness of IGBT, and positive) process on the surface after thinning; cleaning and removal of flip chip, supporting substrate; etching epitaxial buffer layers to design thickness; in the epitaxial buffer layer thinning after the outer surface of B injection and the deposition of metal forming collector. The manufacturing method of the invention FS IGBT, do not need special sheet process equipment, compatible with the conventional process, can greatly reduce the preparation cost, N buffer FS IGBT layer is formed by the extension of the long time, the removal of conventional FS IGBT Nbuffer in the manufacture of heat process, avoid the wafer caused by high temperature in the process of warping, is conducive to improving the reliability of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种FS-IGBT的制造方法
本专利技术属于半导体
，具体的说涉及一种FS-IGBT(场截止型绝缘栅双极型晶体管)的制造方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种兼具MOS场效应和双极型晶体管复合的新型功率电力器件，它兼具MOSFET器件易于驱动、控制简单、开关速度快的优点，又具有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，现已在交通、能源、工业、医学、家用电器等诸多领域广泛应用。就IGBT漂移区结构及制备方法上来讲，绝缘栅双极型晶体管主要经历了，穿通型IGBT(PT-IGBT)、非穿通型IGBT(NPT-IGBT)、场阻型IGBT(FS-IGBT)三个阶段的发展，通常地，穿通型IGBT需要载流子寿命控制技术以减小载流子的寿命，进而减小该类IGBT的关断时间以及关断损耗，但是载流子寿命控制技术会导致IGBT器件的正向导通压降呈现负的温度系数，不利于该类IGBT器件在并联系统中的应用，为了改善IGBT的性能，在穿通型IGBT的基础上提出了非穿通型IGBT(NPT-IGBT)结构，由于通过采用透明阳极技术，降低了背面P型集电区的浓度和厚度，大大减小集电区发射效率，减本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FS‑IGBT的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在一块N型半导体衬底(1)上外延形成N型缓冲层(2)，形成的N型缓冲层(2)厚度约40um；b.在所形成的N+缓冲层(2)上通过硅硅直接键合工艺键合形成支撑衬底(11)；c.翻转硅片，减薄后在表面上完成IGBT正面工艺：包括：形成栅氧化层(3)、多晶硅层(4)、P阱(5)、N+发射区(6)、BPSG层(7)以及正面金属层(8)；d.清洗并翻转硅片，去除支撑衬底(11)；e.刻蚀外延缓冲层(2)至需要的厚度；f.在减薄后的外延缓冲层(2)外表面做B注入(9)并淀积金属(10)形成集电极。

【技术特征摘要】
1.一种FS-IGBT的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在一块N型半导体衬底(1)上外延形成N型缓冲层(2)，形成的N型缓冲层(2)厚度约40um；b.在所形成的N+缓冲层(2)上通过硅硅直接键合工艺键合形成支撑衬底(11)；c.翻转硅片，减薄后在表面上完成IGBT正...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈万军，刘亚伟，陶宏，刘承芳，刘杰，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51