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本发明提供一种FS‑IGBT的制造方法。其方法包括：在一块N型半导体衬底上外延形成N型缓冲层，外延缓冲层厚度约40um；在所形成的N+缓冲层上通过硅硅直接键合工艺键合形成支撑衬底；翻转硅片，减薄硅片至设计厚度(此厚度不包含支撑衬底的厚度)，...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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