温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及三维鳍式隧穿场效应晶体管，其中，一种形成隧穿场效应晶体管的方法包括在衬底上的半导体鳍片上方形成栅极结构，在该栅极结构之间具有至少两个间距；以及在该栅极结构之间凹入该鳍片。在该鳍片上方沉积第一介电层，以填充其间具有较小间距的该栅极结...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。