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本发明涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法的实施例包括通过离子注入在半导体衬底的第一表面处将杂质引入到该半导体衬底的一部分中，该杂质被配置成吸收能量小于半导体衬底的带隙能量的电磁辐射（S100）。该方法还包括在半导体衬底的第一...
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