封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种封装结构。一种封装结构，包括：封装座，包括：陶瓷基座，所述陶瓷基座具有连接面，所述陶瓷基座形成有自所述连接面凹陷的收容槽；连接层，层叠于所述连接面，所述连接层为钨层或钼锰合金层；镍层，层叠于所述连接层；及金层，层叠于所述镍层；可伐合金盖，能够盖设于所述陶瓷基座上且封闭所述收容槽。上述封装结构能降低封焊开裂率。

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本技术涉及一种封装结构。
技术介绍
近年来，随着各种各样的电子产品在工业、农业、国防和日常生活中的广泛应用，促使电子元器件封装技术达到高速发展。同时，伴随着电子产品的高性能、多功能、高可靠、小型化、薄型化、便捷化的发展，其对电子元器件封装的要求也越来越高，更好、更轻、更薄、更好的封装密度、更好的电性能和热性能、更高的可靠性、更低的价格都是电子元器件封装行业追求的目标。传统的封装结构，包括陶瓷基座及金属盖板，陶瓷基座的连接面上形成有金属层，金属盖板通过焊接至金属层与陶瓷基座固接封装。然而，金属与陶瓷基座的热膨胀系数相差太大，从而容易引起封焊开裂。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能降低封焊开裂率的封装结构。一种封装结构，包括：封装座，包括：陶瓷基座，所述陶瓷基座具有连接面，所述陶瓷基座形成有自所述连接面凹陷的收容槽；连接层，层叠于所述连接面，所述连接层为钨层或钼锰层；镍层，层叠于所述连接层；及金层，层叠于所述镍层；可伐合金盖，能够盖设于所述陶瓷基座上且封闭所述收容槽。上述封装结构，通过在陶瓷基座的连接面设置连接层，之后再在连接层表面依次设置镍层及金层，连接层与陶瓷的结合力较佳，再层叠镍层及金层可以得到与陶瓷基座结合力较好的金属层，使用时将可伐合金盖焊接固定至金层，可伐合金盖与陶瓷基座的热膨胀系数相近，可以消除因热膨胀系数差别大引起的应力开裂等问题，能降低封焊开裂率。在其中一个实施例中，所述可伐合金盖为铁钴镍合金盖；及/或，所述可伐合金盖的厚度为0.07毫米～0.1毫米。在其中一个实施例中，所述陶瓷基座为氧化铝陶瓷基座或氮化铝陶瓷基座。在其中一个实施例中，所述连接层的厚度为10微米～50微米。在其中一个实施例中，所述镍层的厚度为1微米～12微米；及/或，所述金层的厚度为0.4微米～1微米。另一种封装结构，包括：封装座，包括：陶瓷基座，所述陶瓷基座具有连接面，所述陶瓷基座形成有自所述连接面凹陷的收容槽；连接层，层叠于所述连接面，所述连接层为钨层或钼锰层；镍层，层叠于所述连接层；及金层，层叠于所述镍层；待密封元件，收容在所述收容槽中；及可伐合金盖，与所述陶瓷基座的金层焊接固定且封闭所述收容槽。在其中一个实施例中，所述可伐合金盖为铁钴镍合金盖；及/或，所述可伐合金盖的厚度为0.07毫米～0.1毫米。在其中一个实施例中，所述陶瓷基座为氧化铝陶瓷基座或氮化铝陶瓷基座。在其中一个实施例中，所述连接层的厚度为10微米～50微米。在其中一个实施例中，所述镍层的厚度为1微米～12微米；及/或，所述金层的厚度为0.4微米～1微米。附图说明图1为一实施方式的封装结构的立体分解图；图2为图1中的封装结构的立体组装图。具体实施方式以下结合实施例及附图对封装结构做进一步详细说明。请参阅图1，一实施方式的封装结构100包括封装座110及可伐合金盖150。封装座110包括陶瓷基座112、连接层114、镍层116及金层118。陶瓷基座112大致为矩形体，具有连接面1121。陶瓷基座112开设有收容槽1123。收容槽1123自连接面1121的中部凹陷而成。收容槽1123用于收容待密封元件(图未示)。陶瓷基座为氧化铝陶瓷基座或氮化铝陶瓷基座。在其中一个实施例中，氧化铝陶瓷的热膨胀系数为(6.7～8.0)×10-6/℃，氮化铝陶瓷的热膨胀系数为(6.7～8.0)×10-6/℃。连接层114层叠于连接面1121。在图示的实施方式中，连接层114大致为环形，且与连接面1121的外边缘之间形成有间隙，连接层114与连接面1121的内边缘平齐。在其中一个实施例中，连接层114的厚度为10微米～50微米。连接层114为钨层或钼锰合金层。在本实施方式中，连接层114印刷在连接面1121。镍层116层叠于连接层114。在图示的实施方式中，镍层116覆盖连接层114的全部表面。在其中一个实施例中，镍层116的厚度为1微米～12微米。金层118层叠于镍层116。在图示的实施方式中，金层118覆盖镍层116的全部表面。在其中一个实施例中，金层118的厚度为0.4微米～1微米。可伐合金盖150大致为板状，能够盖设于陶瓷基座112上且封闭收容槽1123。可伐合金盖150为铁钴镍合金盖。铁钴镍合金盖以质量百分含量计，包括10％～40％的镍，10％～30％的钴，余量为铁，优选的，铁钴镍合金以质量百分含量计包括29％的镍、17％的钴及54％的铁。铁钴镍合金盖的热膨胀系数(20℃～100℃)为6.4×10-6/℃。可伐合金盖150的厚度为0.07毫米～0.1毫米。当然，在其他实施例中，可伐合金盖150不限于为板状，还可以为其他形状，比如，在可伐合金盖150设置与收容槽1123对应的容置槽。请同时参阅图2，可伐合金盖150盖设于陶瓷基座112并封闭收容槽1123。可伐合金盖150通过焊接与封装座110的金层118固定。在图示的实施方式中，可伐合金盖150的边缘与金层118的外边缘之间形成有间隙。上述封装结构100，通过在陶瓷基座112的连接面1121设置连接层114，之后再在连接层114表面依次设置镍层116及金层118，连接层114与陶瓷的结合力较佳，再层叠镍层116及金层118可以得到与陶瓷基座结合力较好的金属层，使用时将可伐合金制成的可伐合金盖150焊接固定至金层118，可伐合金与陶瓷基座112的热膨胀系数相近，可以消除因热膨胀系数差别大引起的应力开裂等问题，能降低封焊开裂率。上述封装结构的制备方法，包括以下步骤：步骤S110、将陶瓷浆料流延成型制备陶瓷基座，陶瓷基座具有连接面，陶瓷基座形成有自连接面凹陷的收容槽。在其中一个实施例中，将陶瓷粉、粘合剂、溶剂混合均匀后得到陶瓷浆料。优选的，将陶瓷粉、粘合剂及溶剂采用球磨的方式混合均匀得到陶瓷浆料。进一步的，球磨的时间为12小时～16小时。在其中一个实施例中，陶瓷浆料以质量份数计包括85份～95份的陶瓷粉，5份～9份的粘结剂及45份～65份的溶剂。优选的，陶瓷粉为氧化铝陶瓷粉或氮化铝陶瓷粉，当然，其他业内常用的陶瓷粉也可以。优选的，粘合剂选自聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇、聚氯乙烯及甲基纤维素中的至少一种。溶剂选自乙醇、丙醇、丁酮及乙酸乙酯中的至少一种。优选的，采用流延法将陶瓷浆料流延形成陶瓷膜。将至少两层陶瓷膜层叠后压合形成陶瓷基座112。在其中一个实施例中，陶瓷基座112的收容槽1123通过冲孔制备。步骤S120、在连接面表面丝网印刷连接层浆料。连接层浆料的材料选自钨浆料或钼锰浆料。在其中一个实施例中，连接层浆料以质量份数计包括85份～95份的W，4份～8份的TiO，0.5份～1.0份的CaO及3份～6份的Al2O3。在另一个实施例中，连接层浆料以质量百分比计包括60％～80％的Mo和Mn，10％～20％的Al2O3，8％～15％的SiO2及2％～5％的MgO，其中Mo和Mn的质量比为7：3。优选的，印刷钨浆料的厚度为10微米～50微米。步骤S130、对丝网印刷钨浆料后的陶瓷基座进行高温共烧处理在陶瓷基座的连接面形成连接层。在其中一个实施例中，高温共烧处理的温度为1200℃～1650℃，高温共烧处理的时间为20小时～23小时。在其中一个实施例中，高温共烧处理在还原氛围下进行。在其中一个实施例中，连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，包括：封装座，包括：陶瓷基座，所述陶瓷基座具有连接面，所述陶瓷基座形成有自所述连接面凹陷的收容槽；连接层，层叠于所述连接面，所述连接层为钨层或钼锰合金层；镍层，层叠于所述连接层；及金层，层叠于所述镍层；可伐合金盖，能够盖设于所述陶瓷基座上且封闭所述收容槽。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：封装座，包括：陶瓷基座，所述陶瓷基座具有连接面，所述陶瓷基座形成有自所述连接面凹陷的收容槽；连接层，层叠于所述连接面，所述连接层为钨层或钼锰合金层；镍层，层叠于所述连接层；及金层，层叠于所述镍层；可伐合金盖，能够盖设于所述陶瓷基座上且封闭所述收容槽。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述可伐合金盖为铁钴镍合金盖；及/或，所述可伐合金盖的厚度为0.07毫米～0.1毫米。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基座为氧化铝陶瓷基座或氮化铝陶瓷基座。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述连接层的厚度为10微米～50微米。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述镍层的厚度为1微米～12微米；及/或，所述金层的厚度为0.4微米～1微米。6.一种封装结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李钢，
申请(专利权)人：潮州三环集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44