具有可焊接的正面的半导体芯片及制造半导体芯片的方法技术

半导体芯片包括具有第一主延伸方向和第二主延伸方向的半导体元器件，第一主延伸方向和第二主延伸方向形成垂直于半导体芯片的堆叠方向布置的主延伸平面，在半导体元器件上直接布置可焊接的第一和第二金属区域及介电区域，第一金属区域和第二金属区域由介电区域电分离，第二金属区域沿第一主延伸方向与第一金属区域相距第一间距，其特征是，在第一金属区域上布置未焊接状态下具有至少相当于第一间距的三倍的第四层厚度的第一焊料，在第一焊料上布置第三金属区域，第三金属区域沿第一主延伸方向与半导体元器件的边缘相距相当于未焊接状态下的第一焊料的第四层厚度的至少5倍的第三间距，第一、第二、第三金属区域和第一焊料材料锁合连接。

【技术实现步骤摘要】
具有可焊接的正面的半导体芯片及制造半导体芯片的方法
本专利技术涉及一种具有半导体元器件的半导体芯片以及一种用于制造半导体芯片的方法。
技术介绍
为了检测特定参数并且为了在晶片上执行应力测试，在制造工艺结束前应逐一接通并电气测量这些半导体元器件。在执行应力测试时对半导体元器件加载到超过特定的数据，由此可以发现半导体元器件中的工艺误差和缺陷。对于在内部与该元器件的其他极连接的元器件，不可能足够大地提高用于应力测试的电压。例如在集成电路、智能或特定的功率半导体中就是这种情况。在伪肖特基二极管的情况中，栅极接头通过芯片金属化固定地与源极接头电连接。由此不可能通过应力测试检测栅极氧化层。在半导体元器件的截止电压通过单片集成的钳位电路限制时会得到类似的困难。因此，例如用于机动车点火装置的晶体管的最大击穿电压可以被集成在芯片上的齐纳二极管限制在300V的值内。然而，要检测的晶体管具有600V的击穿电压。因此，由于钳位，用于检测的电压范围被限制在300V内，使得不可能进行完整的元器件检测。然而，已知可行方案，用于在元器件包含不同金属化平面时仍然能执行应力检测。在此，至少在施加最后一层金属化平面之前可本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体芯片(100)，包括具有第一主延伸方向(x)和第二主延伸方向(y)的半导体元器件(101)，其中，所述第一主延伸方向(x)和所述第二主延伸方向(y)形成主延伸平面，其中，所述主延伸平面垂直于所述半导体芯片(100)的堆叠方向(z)布置，其中，直接在所述半导体元器件(101)上布置：·可焊接的第一金属区域(102)，·可焊接的至少一个第二金属区域(103)，以及·介电区域(104)，其中，所述第一金属区域(102)和所述至少一个第二金属区域(103)由所述介电区域(104)电分离，其中，所述至少一个第二金属区域(103)沿所述第一主延伸方向(x)与所述第一金属区域(102)相距第一间距(1...

【技术特征摘要】
2015.11.09 DE 102015221971.21.半导体芯片(100)，包括具有第一主延伸方向(x)和第二主延伸方向(y)的半导体元器件(101)，其中，所述第一主延伸方向(x)和所述第二主延伸方向(y)形成主延伸平面，其中，所述主延伸平面垂直于所述半导体芯片(100)的堆叠方向(z)布置，其中，直接在所述半导体元器件(101)上布置：·可焊接的第一金属区域(102)，·可焊接的至少一个第二金属区域(103)，以及·介电区域(104)，其中，所述第一金属区域(102)和所述至少一个第二金属区域(103)由所述介电区域(104)电分离，其中，所述至少一个第二金属区域(103)沿所述第一主延伸方向(x)与所述第一金属区域(102)相距第一间距(105)，其特征在于，在所述第一金属区域(102)上布置第一焊料(107)，该第一焊料在未焊接状态下具有至少相当于所述第一间距(105)的三倍的第四层厚度，并且在所述第一焊料(107)上布置第三金属区域(108)，所述第三金属区域(108)沿所述第一主延伸方向(x)与所述半导体元器件(101)的边缘相距第三间距(109)，该第三间距相当于在未焊接状态下的所述第一焊料(107)的第四层厚度的至少五倍，其中，所述第一金属区域(102)、所述第二金属区域(103)、所述第三金属区域(108)和所述第一焊料(107)具有材料锁合连接。2.根据权利要求1所述的半导体芯片(100)，其特征在于，所述至少一个第二金属区域(103)完全由所述介电区域(10...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·格拉赫，T·卡利希，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE