半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。

Semiconductor device, semiconductor device, and method of manufacturing the same

The present invention provides a semiconductor device, a semiconductor device, and a method of manufacturing the same. A method of manufacturing a semiconductor device that can suppress large voids in a solder joint without increasing manufacturing costs is provided. Method for manufacturing components including the semiconductor device having a first component to be used: prepare metal welding joint of the process; and the surface coating in the first part of the metal processing agent, forming processing in the solder temperature below the solidus temperature of the gasification process by membrane.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法
本专利技术涉及能够利用焊料与其它部件接合的半导体装置用部件和半导体装置以及它们的制造方法。半导体装置用部件可以用于功率半导体模块等半导体装置。
技术介绍
作为功率半导体模块的一个例子，具备：层叠基板，其具有绝缘板和电路板；半导体芯片，其在正面具有电极，背面固定于上述电路板；以及连接端子。层叠基板成为在绝缘板的正面配置有电路板，在背面配置有金属板而层叠的一体结构。电路板和金属板的材料通常是铜和/或铝。半导体芯片利用焊接接合于电路板。另外，连接端子也有时利用焊接接合于电路板。此外，散热板也有时利用焊接接合于金属板。在组装功率半导体模块时，在层叠基板的电路板上与半导体芯片的接合位置配置焊料，在该焊料上配置半导体芯片，通过加热使焊料熔融而进行接合。用焊料将连接端子与电路板接合的情况也是同样。另外，通过在层叠基板的金属板与散热板之间配置焊料并进行加热，从而使焊料熔融而进行接合。在焊接接合之前，为了进行防氧化、防腐蚀，有时在层叠基板的电路板和金属板的表面被覆有防锈剂。作为防锈剂，通常使用苯并三唑系防锈剂(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，是具有具备金属部的第一部件，且能够用焊料将所述金属部与第二部件接合的半导体装置用部件的制造方法，包括：准备所述第一部件的工序；以及在所述金属部的表面涂布处理剂，形成在所述焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。

【技术特征摘要】
2016.01.15 JP 2016-0061481.一种半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，是具有具备金属部的第一部件，且能够用焊料将所述金属部与第二部件接合的半导体装置用部件的制造方法，包括：准备所述第一部件的工序；以及在所述金属部的表面涂布处理剂，形成在所述焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述处理被膜的气化温度为80～250℃。3.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述处理剂包括选自羧酸、羧酸的金属盐、羧酸的铵盐、羧酸的胺盐和羧酸酯中的至少一种有机物。4.根据权利要求3所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述有机物的碳原子数为1～25。5.根据权利要求3所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述有机物的分子量为30～400g/mol。6.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述焊料是包括选自Ag、Cu、Sb、Ni、Ge、P、In、Bi、Zn和Pb中的至少一种金属与Sn的合金。7.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述焊料为板状焊料。8.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述第一部件是选自半导体芯片、层叠基板、散热板、焊料和连接端子中的至少一种部件。9.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述第一部件是半导体装置的部件之一的具备绝缘板、电路板和金属板的层叠基板，在该制造方法中，在所述电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐野真二，小平悦宏，早乙女全纪，大西一永，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP