具有防焊盘剥离结构的半导体器件和相关方法技术

公开了一种具有防焊盘剥离结构的半导体器件。该半导体器件包括具有衬底穿孔(TSV)的半导体衬底；半导体衬底上且包括其中的多个凹槽的介电层；以及位于半导体衬底之上以覆盖介电层部分和延伸至凹槽的焊盘；其中，焊盘延伸至多个凹槽，以及在焊盘和导电层之间的凹槽中限制多个接触点，以及当自上向下角度看时，每个接触点至少部分地被排除在TSV的边界之外。本发明专利技术实施例涉及具有防焊盘剥离结构的半导体器件和相关方法。

Semiconductor device with pad release structure and related method

A semiconductor device having an anti pad stripping structure is disclosed. The semiconductor device includes a substrate having a perforation (TSV) of the semiconductor substrate; a dielectric layer on the semiconductor substrate and comprises a plurality of grooves therein; and in a semiconductor substrate with dielectric layer covering the pad part and extends into the groove; the pad is extended to multiple grooves, and a plurality of contact points limit in the groove between the pad and the conductive layer, as well as from the top down perspective, each contact point is at least partially excluded from the boundary of TSV. Embodiments of the present invention relate to semiconductor devices having solder pads, peel structures, and related methods.

【技术实现步骤摘要】
具有防焊盘剥离结构的半导体器件和相关方法
本专利技术实施例涉及具有防焊盘剥离结构的半导体器件和相关方法。
技术介绍
半导体器件的焊盘用作半导体器件的内部电路和半导体器件外侧的外部电路之间的连接接口。在现代的半导体器件封装技术中，在晶圆上形成半导体器件之后，晶圆必须被切割成管芯。结果，执行管芯接合工艺之后，接下来执行引线接合工艺以电连接具有金属引线的半导体器件的外部电路和导电焊盘。结果，执行模制操作以完成整个半导体器件封装工艺。典型的导电焊盘通常为矩形或正方形。因此，尤其在接合工艺(或焊接工艺)期间在导电焊盘的拐角处可能发生高电平应力。应力可能造成导电焊盘剥离且进一步损坏导电焊盘下方的半导体器件。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种具有防焊盘剥离结构的半导体器件，包括：半导体衬底，包括衬底穿孔；介电层，位于所述半导体衬底上并且所述介电层中包括多个凹槽；以及焊盘，位于所述半导体衬底之上以覆盖所述介电层的部分并且所述焊盘延伸至所述凹槽，其中，从顶视图看，所述焊盘完全地覆盖所述衬底穿孔，且所述焊盘的边缘和所述凹槽的最外侧边缘之间的距离大于指定的长度。根据本专利技术的另一实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有防焊盘剥离结构的半导体器件，包括：半导体衬底，包括衬底穿孔；介电层，位于所述半导体衬底上并且所述介电层中包括多个凹槽；以及焊盘，位于所述半导体衬底之上以覆盖所述介电层的部分并且所述焊盘延伸至所述凹槽，其中，从顶视图看，所述焊盘完全地覆盖所述衬底穿孔，且所述焊盘的边缘和所述凹槽的最外侧边缘之间的距离大于指定的长度。

【技术特征摘要】
2015.10.19 US 14/886,5211.一种具有防焊盘剥离结构的半导体器件，包括：半导体衬底，包括衬底穿孔；介电层，位于所述半导体衬底上并且所述介电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑志楷，谢政杰，黄诗雯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71