用于晶片级加工中在芯片焊盘上形成接触点的方法，包括：在芯片焊盘上形成可固化的导电材料的焊点并延伸至或越过互连芯片边缘；固化导电材料；以及在随后的晶片切割过程中切断焊点。而且，通过该方法形成芯片焊盘与z-互连的接触点并相应地塑形和规定尺寸。而且，通过该方法形成包含根据该方法制备的具有芯片焊盘与z-互连的接触点的芯片的堆叠的芯片组件和堆叠的芯片封装并相应地塑形和规定尺寸。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于堆叠的芯片组件的芯片焊盘和Z-互连之间的电接触点相关申请的交叉引用本申请要求R. C o等于2010年5月19日提交的、美国临时专利申请61/395，987、专利技术名称为“Electrical connector between die pad ana Z-interconnect for stackeddie assemblies”的优先权,其通过參考包括于此。本申请与以下申请相关R. Co等于2008年11月25日提交的、美国专利申请 12/323,288、专利技术名称为 “Semiconductor die separation method” 的申请；S. J. S McElrea等于2008年5月20日提交的、美国专利申请12/124，077、专利技术名称为“Electrically interconnected stacked dieassemblies，，的申请；S. J. S McElrea 等亍2008年6月19日提交的、美国专利申请12/142，589、专利技术名称为“Wafer level surfacepassivation of stackable integrated circuit chips，，的申请；T. Caskey 等于 2008年5月20日提交的、美国专利申请12/124, 097、专利技术名称为“Electricalinterconnectformed by pulse dispense”的申请；以及J. Leal于2009年12月9日提交的、美国专利申请 12/634,598、专利技术名称为 “Semiconductor die interconnect formed byaerosolapplication of electrically conductive material，，的申请。
技术介绍
本专利技术涉及制备用于堆叠的芯片组件中的电互连的半导体芯片，以及涉及由此制备的芯片和包含由此制备的芯片的芯片组件。芯片的堆叠中的芯片彼此之间的互连(“芯片-芯片互连”;“z-互连”)或者芯片或芯片堆叠与衬底的互连(“芯片-衬底互连”)存在很多挑战。例如，集成电路位于芯片的“有源面”上，暴露的焊盘位于芯片的有源面上用干与其他芯片或衬底电互连。当芯片被堆叠时，特别地当具有相同的或近似的尺寸的芯片被彼此堆叠时，堆叠中的一个芯片可能遮掩另ー个芯片上的焊盘，使得它们无法互连。提供的某芯片具有沿着一个或多个芯片边沿的芯片焊盘，这些芯片可被称作外围焊盘芯片。提供的其他芯片具有在接近芯片的中心处布置为一行或两行的芯片焊盘，这些芯片可被称作中心焊盘芯片。芯片可被重新排列以在或接近一个或多个芯片的边缘提供互连焊盘的适当布置。沿此布置互连焊盘的芯片边缘可被称作“互连边缘”；在与互连边缘相邻的有源面上的芯片的边沿可被称作“互连边沿”；与互连边缘相邻的芯片的侧壁可被称作“互连侧壁”。已经提出多种类型的芯片互连，其中包括倒装互连、引线键合互连和带键合(tabbond)互连。在堆叠的芯片组件中采用引线键合互连的，在第一芯片上堆叠额外的芯片之前，可形成引线键合以连接第一芯片的有源面上的焊盘。典型地，在第一芯片的有源面上提供垫片以防止第二芯片对第一芯片上的线环的干扰。例如，在美国专利5，675，180及其后代、美国专利7，215，018和美国专利7，245，021中描述了除引线键合、焊台或载带之外的其他芯片Z-互连的方式。特别地，例如美国专利7，245，021描述了“离片(off-die) ”互连，采用与芯片上的外围位点电连接并凸出越过芯片边缘的互连端子；通过导电聚合物元件形成芯片的Z-互连，其中互连端子的凸出部分延伸至导电聚合物元件中。在芯片的分割之前，可有利地在晶片级实施某些エ艺步骤。在芯片制备的某阶段，晶片被切割以分割芯片。即，晶片被切割(例如，通过沿着芯片的有源电路区域之间的“道”割锯晶片)以在晶片支撑物上形成芯片阵列(“晶片阵列”)。然后，分割的芯片可被分别地操作(例如，通过使用“取放”工具)用于进一歩的处理。上面參考的美国专利申请12/124，077描述了各种芯片堆叠配置，其中包括偏 置芯片堆叠和交错芯片堆叠，以及包括堆叠中的各个芯片具有不同的尺寸的堆叠。上面參考的美国专利申请12/142，589描述了用于在晶片或晶片阵列级在芯片表面上钝化(形成电绝缘)的方法。上面參考的美国专利申请12/323，288描述了用于通过在两个阶段中切割晶片而将芯片从晶片分离的方法。第一晶片切割过程包括沿着第一组锯道切割至比预定的芯片厚度大的深度，且可选地沿着第二组锯道切割至比芯片厚度小的深度。第一切割过程的结果是芯片条或块的阵列，每个条或块包括多个连接的芯片，比单个分割的芯片更少地产生偏移。在第二晶片切割过程中，通过沿着第二组道切断而分割芯片。在第一切割过程之后、第ニ切割过程之前，可实施额外的对芯片偏移敏感的芯片制备过程。在一些这样的方法中，在将晶片减薄至预定的芯片厚度之前实施第一晶片切割过程；在其他这样的方法中，在实施第一晶片切割过程之前将晶片减薄至预定的芯片厚度。在该方法的一些示例中，沿着互连边缘前面的锯道进行第一切割。上文和下文參考的专利和专利申请通过參考包括于此。
技术实现思路
在一般方面，本专利技术以用于晶片级加工中在芯片焊盘上形成接触点的方法为特征，通过在芯片焊盘上形成可固化的导电材料的焊点并延伸越过互连芯片边缘；固化导电材料；以及在随后的晶片切割过程中切断焊点。在一些实施例中，在焊盘上形成导电材料的焊点之前，将芯片覆盖上保形电绝缘涂层，以及在保形涂层中形成开ロ以暴露被选择的芯片焊盘的表面从而提供焊点与被选择的芯片焊盘的电连接；保形涂层防止焊点和芯片上的特征之间的电接触，从而避免电导通。在一些实施例中，在固化导电材料之后，形成第二保形电绝缘涂层，且在一些这种实施例中，在涂层中形成暴露被选择的固化焊点的表面的开ロ以提供与Z-互连的电连接。在一些实施例中，在沿着第一锯道的第一晶片切割过程之前，减薄晶片。在ー些实施例中，在第一晶片切割过程之前形成并固化焊点，且第一晶片切割过程切断固化的焊点并在芯片上形成互连侧壁。在其他实施例中，在第一晶片切割过程之后，在通过第一晶片切割过程形成的通道上(可跨越但通常不跨越)形成焊点并固化；在这种实施例中，在随后的沿着互连道的晶片切割过程(使用较窄的锯)中切断固化的焊点。在这种实施例中，固化的导电焊点可在一定程度上悬出互连芯片边缘。在第一晶片切割过程之前减薄晶片的一些实施例中，可以有单个的保形介质涂布过程；在第一晶片切割过程之前减薄晶片的其他实施例中，可以有两个保形介质涂布过程。在一些这样的(在第一切割之前减薄)实施例(单个涂布过程)中，一系列过程包括以下阶段a)减薄晶片(例如，通过晶背研磨)；b)对减薄的晶片的背面应用芯片粘结薄膜(DAF)；c)沿着互连道从正面切割(例如，锯)穿过晶片并进入但不穿过DAF;d)在晶片的正面(芯片有源区域的正面、互连芯片边缘和侧壁)暴露的表面上沉积保形涂层； e)形成开ロ(例如通过激光烧蚀)以暴露期望电接触处的特征(例如被选择的芯片焊盘)；f)在芯片焊盘上形成并固化悬出互连芯片边缘的可固化的导电材料的焊点；g)再次沿着互连道切割(例如，使用比第一切割更本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷纳多·科，杰弗里·S·莱亚尔，苏塞特·K·潘格尔，斯科特·马克格瑞斯，迪安·艾琳·美尔希，基思·L·巴里，格兰特·维拉维森西奥，埃尔默·M·德尔罗萨利奥，约翰·R·布雷，
申请(专利权)人：英闻萨斯有限公司，
类型：
国别省市：
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