制造半导体器件的方法和对应的器件技术

本申请涉及制造半导体器件的方法和对应的器件。在一个实施例中，一种方法制造半导体器件，该半导体器件包括具有外围部分的金属化结构，该外围部分具有一个或多个下覆层，该下覆层具有面向外围部分延伸的边缘区域。方法包括：提供牺牲层以覆盖下覆层的边缘区域，在由牺牲层覆盖下覆层的边缘区域的同时提供金属化结构，以及移除牺牲层以使得下覆层的边缘区域面向外围部分延伸而在两者之间没有接触界面，由此避免热机械应力。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法和对应的器件
本说明书涉及制造半导体器件。一个或多个实施例可以应用于例如减小例如用于汽车和消费产品的集成电路中的热机械应力。
技术介绍
各种类型的集成电路(IC)可以采用诸如BCD(双极-CMOS-DMOS)技术的技术。BCD技术可以有利地例如用于制造具有功率电子器件和逻辑控制电子器件的集成电路。BCD技术提供了一系列硅工艺，每一个硅工艺将三个不同工艺技术的力量组合至单个芯片上：用于精确模拟功能的双极，用于数字设计的CMOS(互补金属氧化物半导体)，以及用于功率和高电压元件的DMOS(双扩散金属氧化物半导体)。实施BCD技术可以包括被称为再分布层(RDL)的顶层铜金属互连。例如由引线键合和封装工艺期间的热弹性耦合和应力所引起的、钝化和中间绝缘层对于可靠性的阻碍问题可以呈现需要关注的因素。在制造IC中可以使用氮化硅(SiN)或碳化硅(SiC)以提供用于微芯片的钝化层，例如以提供抵抗水分子以及微电子器件中腐蚀和不稳定性的其他来源的阻挡层。在诸如Cu(铜)RDL顶部金属化结构的金属化结构的结构角部中，由于不同材料之间的热机械失配可以引起应力，该不同的材料例如阻挡层(钛-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供具有边缘区域的第一层，利用牺牲层覆盖所述第一层的所述边缘区域，在由所述牺牲层覆盖所述第一层的所述边缘区域的同时，在所述牺牲层上提供金属化结构，所述金属化结构包括外围部分，以及去除所述牺牲层，由此所述第一层的所述边缘区域面向所述外围部分而在所述外围部分与所述边缘区域之间没有接触界面。

【技术特征摘要】
2016.02.01 IT 1020160000100091.一种方法，包括：提供具有边缘区域的第一层，利用牺牲层覆盖所述第一层的所述边缘区域，在由所述牺牲层覆盖所述第一层的所述边缘区域的同时，在所述牺牲层上提供金属化结构，所述金属化结构包括外围部分，以及去除所述牺牲层，由此所述第一层的所述边缘区域面向所述外围部分而在所述外围部分与所述边缘区域之间没有接触界面。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属化结构包括：金属化结构本体，以及在所述本体上的外表面涂层，其中所述边缘区域面向所述外围部分而在所述金属化结构本体与所述外表面涂层之间没有接触界面。3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：提供在所述金属化结构本体下方并且邻接所述外表面涂层的阻挡层，所述阻挡层和外表面涂层一起完全围绕所述金属化结构本体，其中在由所述牺牲层覆盖所述第一层的所述边缘区域的同时提供所述阻挡层。4.根据权利要求2所述的方法，其中，提供所述第一层包括：提供钝化层，以及在所述钝化层上提供阻挡层。5.根据权利要求4所述的方法，其中：在所述钝化层上提供所述阻挡层包括使所述阻挡层在所述金属化结构本体下方延伸，以及提供所述牺牲层包括采用所述牺牲层在所述边缘区域处覆盖所述阻挡层。6.根据权利要求4所述的方法，包括在所述边缘区域处从所述钝化层移除所述阻挡层。7.根据权利要求4所述的方法，其中：所述钝化层包括电介质钝化层，和/或所述钝化层包括钛钨。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括氮化硅。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属化结构包括Cu-RDL金属化结构。10.一种半导体器件，包括：第一层，具有边缘区域；金属化结构，具有面向所述第一层的边缘区域而并未接触所述边缘区域的外围部分。11.根据权利要求10所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·帕勒亚里，A·米拉尼，L·瓜里诺，F·龙奇，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利,IT