控制eDRAM深沟槽上方的外延生长以及如此形成的eDRAM制造技术

本发明专利技术涉及控制eDRAM深沟槽上方的外延生长以及如此形成的eDRAM，其提供形成eDRAM的多晶硅填充深沟槽的方法。该方法可包括在衬底中形成多个多晶硅填充深沟槽。向该沟槽的上部引入外延抑制掺杂物。接着，在该衬底上方形成多个鳍片，各多晶硅填充深沟槽包括延伸于其上方的相应鳍片。至少在该多晶硅填充深沟槽上方外延生长硅层。该多晶硅填充深沟槽中的该掺杂物用以控制该硅层的该外延生长，以消除或防止在先进技术节点与相邻鳍片和/或深沟槽短路。

【技术实现步骤摘要】
控制eDRAM深沟槽上方的外延生长以及如此形成的eDRAM
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及控制嵌入式动态随机访问存储器(embeddeddynamicrandomaccessmemory；eDRAM)的多晶硅填充深沟槽上方的外延生长的方法，以及如此形成的eDRAM。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit；IC)技术向更小导线宽度的持续发展不断带来挑战。一种现有技术在绝缘体上半导体衬底上采用“14纳米”线宽(对于不同结构，宽度不同；例如，鳍片为约10纳米宽，栅极为20纳米宽)。目前在IC形成期间带来挑战的此技术中的一种结构包括嵌入式动态随机访问存储器(eDRAM)。尤其，各eDRAM包括与相应finFET晶体管耦接的多晶硅填充深沟槽电容器。该多晶硅填充深沟槽形成于衬底中，且该晶体管形成于该深沟槽上方并与其横向相邻。如所理解的那样，各深沟槽充当电容器，其在与其耦接的晶体管的控制下提供存储器单元。请参照图1及2，其分别显示示例eDRAM8的部分形成的平面视图及剖视图。如图1中所示，晶体管10作为鳍式场效应晶体管(fintypefieldeffecttransisto本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在衬底中形成多个多晶硅填充深沟槽；向该多个多晶硅填充深沟槽的上部引入外延抑制掺杂物；在该衬底上方形成多个鳍片，各多晶硅填充深沟槽与延伸于其上方的相应鳍片连接；以及至少在该多晶硅填充深沟槽上方外延生长硅层。

【技术特征摘要】
2016.01.22 US 15/004,2161.一种方法，包括：在衬底中形成多个多晶硅填充深沟槽；向该多个多晶硅填充深沟槽的上部引入外延抑制掺杂物；在该衬底上方形成多个鳍片，各多晶硅填充深沟槽与延伸于其上方的相应鳍片连接；以及至少在该多晶硅填充深沟槽上方外延生长硅层。2.如权利要求1所述的方法，其中，该外延抑制掺杂物包括n型掺杂物。3.如权利要求1所述的方法，其中，该外延抑制掺杂物包括磷。4.如权利要求1所述的方法，其中，外延的该硅层包括与该多晶硅填充深沟槽的该上部的周边基本相同的周边，以及其中，该外延抑制掺杂物包括砷。5.如权利要求1所述的方法，其中，该引入包括向该多个多晶硅填充深沟槽的该上部注入该外延抑制掺杂物，还包括在该注入以后退火该多个多晶硅填充深沟槽。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述外延生长该硅层包括在与各多晶硅填充沟槽连接并位于其上方的该相应鳍片上生长硅。7.如权利要求1所述的方法，还包括通过使用与各该多个多晶硅填充深沟槽连接并位于其上方的该相应鳍片针对各该多个多晶硅填充深沟槽形成鳍式场效应晶体管。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成该多个多晶硅填充深沟槽包括：图案化位于该衬底上方的掩膜，以设置多个沟槽开口；通过使用该掩膜蚀刻该多个沟槽开口至该衬底中，以形成多个深沟槽；以及在各深沟槽中填充多晶硅，以形成该多个多晶硅填充深沟槽。9.如权利要求8所述的方法，其中，该引入包括使用该掩膜以相对该衬底的周围区域，基本仅在该多个多晶硅填充深沟槽中注入该外延抑制掺杂物的离子。10.如权利要求1所述的方法，其中，该引入包括通过使用约10千电子伏特的离子能量注入该外延抑制掺杂物。11.如权利要求1所述的方法，其中，该引入包括以每平方厘米约1x1015至约3x1015原子...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·史密斯，S·S·马哈詹，H·L·霍，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY